Infineon Technologies - IDB15E60

KEY Part #: K6445542

[2071шт шт]


    Частка нумар:
    IDB15E60
    Вытворца:
    Infineon Technologies
    Падрабязнае апісанне:
    DIODE GEN PURP 600V 29.2A TO263. Diodes - General Purpose, Power, Switching Fast Switching 600V EmCon Diode
    Manufacturer's standard lead time:
    У наяўнасці
    Тэрмін прыдатнасці:
    Адзін год
    Фішка ад:
    Ганконг
    RoHS:
    Спосаб аплаты:
    Адгрузка спосабам:
    Катэгорыі сям'і:
    KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - біпалярныя (BJT) - аднамесныя, з пап, Транзістары - БНТ, MOSFET - Масівы, Тырыстары - SCR - Модулі, Дыёды - РФ, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, загадзя п, Дыёды - Зэнер - Масівы, Транзістары - праграмуемыя супярэчнікі and Транзістары - IGBT - адзінкавыя ...
    Канкурэнтная перавага:
    Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Infineon Technologies IDB15E60. IDB15E60 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IDB15E60 Атрыбуты прадукту

    Частка нумар : IDB15E60
    Вытворца : Infineon Technologies
    Апісанне : DIODE GEN PURP 600V 29.2A TO263
    Серыя : -
    Статус часткі : Obsolete
    Дыёдны тып : Standard
    Напружанне - рэверс пастаяннага току (Vr) (макс.) : 600V
    Ток - Сярэдняя выпраўленасць (Io) : 29.2A (DC)
    Напруга - наперад (Vf) (макс.) @ Калі : 2V @ 15A
    Хуткасць : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    Рэверсны час аднаўлення (TRR) : 87ns
    Ток - Зваротная ўцечка @ Vr : 50µA @ 600V
    Ёмістасць @ Vr, F : -
    Тып мантажу : Surface Mount
    Пакет / футляр : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    Пакет прылад пастаўшчыка : PG-TO263-3
    Працоўная тэмпература - развязка : -55°C ~ 175°C

    Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
    • C2D05120E

      Cree/Wolfspeed

      DIODE SCHOTTKY 1.2KV 17.5A TO252.

    • VS-20ETF04FPPBF

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 400V 20A TO220FP.

    • BAT54WH6327XTSA1

      Infineon Technologies

      DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT323.

    • IDB23E60ATMA1

      Infineon Technologies

      DIODE GEN PURP 600V 41A TO263-3.

    • IDB12E120ATMA1

      Infineon Technologies

      DIODE GEN PURP 1.2KV 28A TO263-3.

    • IDB45E60ATMA1

      Infineon Technologies

      DIODE GEN PURP 600V 71A TO263-3.