Vishay Semiconductor Diodes Division - BYG21M-E3/TR

KEY Part #: K6457014

BYG21M-E3/TR Цэнаўтварэнне (USD) [675536шт шт]

  • 1 pcs$0.05475
  • 1,800 pcs$0.05098
  • 3,600 pcs$0.04673
  • 5,400 pcs$0.04390
  • 12,600 pcs$0.04106
  • 45,000 pcs$0.03776

Частка нумар:
BYG21M-E3/TR
Вытворца:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Падрабязнае апісанне:
DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A. Rectifiers 1.5 Amp 1000 Volt
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - БНТ, MOSFET - Масівы, Транзістары - FET, MOSFET - адзінкавыя, Дыёды - Зэнер - Адзінокі, Транзістары - IGBT - Модулі, Транзістары - праграмуемыя супярэчнікі, Тырыстары - DIAC, SIDAC, Тырыстары - SCR - Модулі and Транзістары - БНТ, МОФФЕТ - РФ ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Vishay Semiconductor Diodes Division BYG21M-E3/TR. BYG21M-E3/TR можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BYG21M-E3/TR Атрыбуты прадукту

Частка нумар : BYG21M-E3/TR
Вытворца : Vishay Semiconductor Diodes Division
Апісанне : DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A
Серыя : -
Статус часткі : Active
Дыёдны тып : Avalanche
Напружанне - рэверс пастаяннага току (Vr) (макс.) : 1000V
Ток - Сярэдняя выпраўленасць (Io) : 1.5A
Напруга - наперад (Vf) (макс.) @ Калі : 1.6V @ 1.5A
Хуткасць : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Рэверсны час аднаўлення (TRR) : 120ns
Ток - Зваротная ўцечка @ Vr : 1µA @ 1000V
Ёмістасць @ Vr, F : -
Тып мантажу : Surface Mount
Пакет / футляр : DO-214AC, SMA
Пакет прылад пастаўшчыка : DO-214AC (SMA)
Працоўная тэмпература - развязка : -55°C ~ 150°C

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • DSS2-60AT2

    IXYS

    DIODE SCHOTTKY 60V 2A TO92-3.

  • FFD08S60S-F085

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 600V 8A DPAK. Rectifiers 8A, 600V Stealth II Rectifier

  • BAS16

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 85V 200MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching SOT23 215mA 75V 4ns

  • VS-8EVL06-M3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURPOSE 600V SLIMDPAK.

  • VS-8EVX06-M3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURPOSE 600V SLIMDPAK.

  • VS-8EVH06-M3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURPOSE 600V SLIMDPAK. Rectifiers 600V 8A SlimDPAK FRED