Vishay Semiconductor Diodes Division - BAQ35-GS08

KEY Part #: K6458421

BAQ35-GS08 Цэнаўтварэнне (USD) [1320178шт шт]

  • 1 pcs$0.02802
  • 2,500 pcs$0.02674
  • 5,000 pcs$0.02326
  • 12,500 pcs$0.01977
  • 25,000 pcs$0.01860
  • 62,500 pcs$0.01744
  • 125,000 pcs$0.01550

Частка нумар:
BAQ35-GS08
Вытворца:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Падрабязнае апісанне:
DIODE GEN PURP 140V 200MA SOD80. Diodes - General Purpose, Power, Switching 125 Volt 200mA
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - FET, MOSFET - адзінкавыя, Дыёды - Зэнер - Адзінокі, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, загадзя п, Транзістары - біпалярныя (BJT) - аднамесныя, з пап, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, Тырыстары - SCR, Транзістары - IGBT - масівы and Транзістары - біпалярныя (BJT) - адзінкавыя ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Vishay Semiconductor Diodes Division BAQ35-GS08. BAQ35-GS08 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BAQ35-GS08 Атрыбуты прадукту

Частка нумар : BAQ35-GS08
Вытворца : Vishay Semiconductor Diodes Division
Апісанне : DIODE GEN PURP 140V 200MA SOD80
Серыя : -
Статус часткі : Active
Дыёдны тып : Standard
Напружанне - рэверс пастаяннага току (Vr) (макс.) : 140V
Ток - Сярэдняя выпраўленасць (Io) : 200mA
Напруга - наперад (Vf) (макс.) @ Калі : 1V @ 100mA
Хуткасць : Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Рэверсны час аднаўлення (TRR) : -
Ток - Зваротная ўцечка @ Vr : 1nA @ 60V
Ёмістасць @ Vr, F : 3pF @ 0V, 1MHz
Тып мантажу : Surface Mount
Пакет / футляр : DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80
Пакет прылад пастаўшчыка : SOD-80 MiniMELF
Працоўная тэмпература - развязка : 175°C (Max)

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • 1SS294,LF

    Toshiba Semiconductor and Storage

    DIODE SCHOTTKY 40V 100MA SMINI. Schottky Diodes & Rectifiers SS Schottky 45Vrm 40V VR 300mA

  • BAS70-00-HE3-08

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 70V 200MA SOT23. Schottky Diodes & Rectifiers 70 Volt 200mA Single AUTO

  • BAS70-00-E3-08

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 70V 200MA SOT23. Schottky Diodes & Rectifiers 70 Volt 200mA Single

  • BAS40-00-HE3-08

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 40V 200MA SOT23. Schottky Diodes & Rectifiers 40 Volt 200mA AUTO

  • BAS40-00-G3-08

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 40V 200MA SOT23. Schottky Diodes & Rectifiers 40 Volt 200mA

  • BAS70-00-HE3-18

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 70V 200MA SOT23. Schottky Diodes & Rectifiers 70 Volt 200mA Single AUTO