Vishay Semiconductor Diodes Division - VS-GA200SA60SP

KEY Part #: K6533628

[771шт шт]


    Частка нумар:
    VS-GA200SA60SP
    Вытворца:
    Vishay Semiconductor Diodes Division
    Падрабязнае апісанне:
    MODULE IGBT SOT-227.
    Manufacturer's standard lead time:
    У наяўнасці
    Тэрмін прыдатнасці:
    Адзін год
    Фішка ад:
    Ганконг
    RoHS:
    Спосаб аплаты:
    Адгрузка спосабам:
    Катэгорыі сям'і:
    KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - біпалярныя (BJT) - адзінкавыя, Транзістары - БНТ, МОФФЕТ - РФ, Транзістары - біпалярныя (BJT) - аднамесныя, з пап, Дыёды - Зэнер - Масівы, Транзістары - IGBT - адзінкавыя, Транзістары - БНТ, MOSFET - Масівы, Транзістары - JFET and Дыёды - Зэнер - Адзінокі ...
    Канкурэнтная перавага:
    Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Vishay Semiconductor Diodes Division VS-GA200SA60SP. VS-GA200SA60SP можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    VS-GA200SA60SP Атрыбуты прадукту

    Частка нумар : VS-GA200SA60SP
    Вытворца : Vishay Semiconductor Diodes Division
    Апісанне : MODULE IGBT SOT-227
    Серыя : -
    Статус часткі : Obsolete
    Тып IGBT : -
    Канфігурацыя : Single
    Напружанне - Разбіўка выпраменьвальніка (макс.) : 600V
    Ток - калекцыянер (Ic) (макс.) : -
    Магутнасць - Макс : 781W
    Vce (на) (Max) @ Vge, Ic : 1.3V @ 15V, 100A
    Ток - адключэнне калекцыі (макс.) : 1mA
    Ёмістасць уводу (Cies) @ Vce : 16.25nF @ 30V
    Увод : Standard
    NTC-цеплавізатар : No
    Працоўная тэмпература : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Тып мантажу : Chassis Mount
    Пакет / футляр : SOT-227-4, miniBLOC
    Пакет прылад пастаўшчыка : SOT-227

    Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
    • VS-GT175DA120U

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      IGBT 1200V 288A 1087W SOT-227.

    • VS-CPV363M4KPBF

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      MOD IGBT 3PHASE INV 600V SIP.

    • VS-GT100NA120UX

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      IGBT 1200V 134A 463W SOT-227.

    • VS-GT100LA120UX

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      IGBT 1200V 134A 463W SOT-227.

    • VS-GT100DA60U

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      IGBT 600V 184A 577W SOT-227.

    • VS-GT100DA120U

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      IGBT 1200V 258A 893W SOT-227.