IDH09G65C5XKSA2 Цэнаўтварэнне (USD) [21206шт шт]
- 1 pcs$2.12417
- 10 pcs$1.90911
- 100 pcs$1.56422
- 500 pcs$1.33159
- 1,000 pcs$1.06544
- Частка нумар:
- IDH09G65C5XKSA2
- Вытворца:
- Infineon Technologies
- Падрабязнае апісанне:
- DIODE SCHOTTKY 650V 9A TO220-2-1. Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES
- Manufacturer's standard lead time:
- У наяўнасці
- Тэрмін прыдатнасці:
- Адзін год
- Фішка ад:
- Ганконг
- RoHS:
- Спосаб аплаты:
-
- Адгрузка спосабам:
- Катэгорыі сям'і:
- KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - біпалярныя (BJT) - РФ, Транзістары - біпалярныя (BJT) - аднамесныя, з пап, Транзістары - біпалярныя (BJT) - адзінкавыя, Дыёды - Зэнер - Адзінокі, Транзістары - FET, MOSFET - адзінкавыя, Тырыстары - SCR - Модулі, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, загадзя п and Транзістары - БНТ, MOSFET - Масівы ...
- Канкурэнтная перавага:
- Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Infineon Technologies IDH09G65C5XKSA2. IDH09G65C5XKSA2 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
IDH09G65C5XKSA2 Атрыбуты прадукту
Частка нумар :
IDH09G65C5XKSA2
Вытворца :
Infineon Technologies
Апісанне :
DIODE SCHOTTKY 650V 9A TO220-2-1
Серыя :
CoolSiC™
Статус часткі :
Active
Дыёдны тып :
Silicon Carbide Schottky
Напружанне - рэверс пастаяннага току (Vr) (макс.) :
650V
Ток - Сярэдняя выпраўленасць (Io) :
9A (DC)
Напруга - наперад (Vf) (макс.) @ Калі :
1.7V @ 9A
Хуткасць :
No Recovery Time > 500mA (Io)
Рэверсны час аднаўлення (TRR) :
0ns
Ток - Зваротная ўцечка @ Vr :
160µA @ 650V
Ёмістасць @ Vr, F :
270pF @ 1V, 1MHz
Тып мантажу :
Through Hole
Пакет / футляр :
TO-220-2
Пакет прылад пастаўшчыка :
PG-TO220-2-1
Працоўная тэмпература - развязка :
-55°C ~ 175°C
Апошнія навіны
Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
-
-
SCS220AJHRTLL
Rohm Semiconductor
DIODE SCHOTTKY 650V 20A TO263AB. Schottky Diodes & Rectifiers 650V 20A SiC SBD AEC-Q101 Qualified
-
SCS212AJHRTLL
Rohm Semiconductor
DIODE SCHOTTKY 650V 12A TO263AB. Schottky Diodes & Rectifiers 650V 12A SiC SBD AEC-Q101 Qualified
-
SCS215AJHRTLL
Rohm Semiconductor
DIODE SCHOTTKY 650V 15A TO263AB. Schottky Diodes & Rectifiers 650V 15A SiC SBD AEC-Q101 Qualified
-
IDK12G65C5XTMA2
Infineon Technologies
DIODE SCHOTTKY 650V 12A TO263-2. Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES
-
Гарачыя часткі
- IDD12SG60CXTMA2
- S1MFL RVG
- RGP10J-5025M3/73
- JAN1N1190
- R4260F
- R9G22011ASOO
- MURS120HE3/52T
- IDW12G65C5FKSA1
- SB040-E3/54
- NSRM30CM3T5G
- AR3PJHM3/86A
- VS-60CPF02PBF
- VS-150SQ035
- RGP02-14E-M3/73
- RS1GHE3/5AT
- RGP5020HE3/54
- SB160A-E3/73
- GP15KHE3/73
- 1N4937L-T
- MR7510-BP
- JAN1N6629US
- STTH40P03SFP
- BAS29_D87Z
- D4015L
- VS-12TQ040PBF
- SS16T3
- MBRB745
- RS3G-13
- 20ETS12S
- 1PS59SB20,115
- MBRM120ET1H
- ER1D-TP
- 1N4935-TP
- MUR110-AP
- STPS2H100UF
- RU 2V1
- SK56C M6G
- ESH2CHE3_A/I
- BA159GPE-E3/73
- LL4448-GS08