Калі ваша месцазнаходжанне няма ў спісе, выберыце адно з наступных:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Калі ваша месцазнаходжанне няма ў спісе, выберыце адно з наступных:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Дадому
  2. Прадукты
  3. DRAM
  4. DDR3
  5. K4B4G0846E-BCK0

Samsung Semiconductor - K4B4G0846E-BCK0

KEY Part #: K7359677

[26869шт шт]

    Частка нумар:
    K4B4G0846E-BCK0
    Вытворца:
    Samsung Semiconductor
    Падрабязнае апісанне:
    4 Gb 512M x 8 1600 Mbps 1.5 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production.
    Manufacturer's standard lead time:
    У наяўнасці
    Тэрмін прыдатнасці:
    Адзін год
    Фішка ад:
    Ганконг
    RoHS:
    Спосаб аплаты:
    Адгрузка спосабам:
    Катэгорыі сям'і:
    KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: HBM Aquabolt, GDDR5, MODULE, DDR3, HBM Flarebolt, GDDR6, DDR4 and LPDDR3 ...
    Канкурэнтная перавага:
    Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Samsung Semiconductor K4B4G0846E-BCK0. K4B4G0846E-BCK0 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    K4B4G0846E-BCK0 Атрыбуты прадукту

    Частка нумар : K4B4G0846E-BCK0
    Вытворца : Samsung Semiconductor
    Апісанне : 4 Gb 512M x 8 1600 Mbps 1.5 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production
    Серыя : DDR3
    шчыльнасць : 4 Gb
    Org. : 512M x 8
    хуткасць : 1600 Mbps
    напружанне : 1.5 V
    тэмпература : 0 ~ 85 °C
    пакет : 78FBGA
    статус прадукту : Mass Production

    Апошнія навіны

    Samsung Z-SSD SZ985
    Exploring the Key Samsung Technologies That Enabled 10nm-Class DRAM
    An Exclusive Look Inside Samsung’s Memory Exhibit at MWC
    Driving the Artificial Intelligence Evolution with In-Memory Computing
    [Video] 5G memory solutions : 5G. All in the Memory.
    Samsung Launches Industry’s First 12Gb LPDDR4 DRAM
    Bringing Artificial Intelligence to Devices Everywhere
    Samsung Memory Solutions for Automotive
    Samsung Electronics Introduces New High Bandwidth Memory Technology Tailored to Data Centers, Graphic Applications, and AI
    [Video] The Future of Autonomous Driving: Samsung’s Memory Component Solutions
    Mission Peak Reference Server System for NGSFF SSD
    Inside the building blocks of the 5G future
    Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
    • K3UH5H50AM-AGCL

      Samsung Semiconductor

      32 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 556FBGA Mass Production.

    • K3UH5H50AM-EGCL

      Samsung Semiconductor

      32 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 376FBGA Mass Production.

    • K3UH5H50AM-JGCL

      Samsung Semiconductor

      32 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 432FBGA Mass Production.

    • K3UH6H60BM-AGCL

      Samsung Semiconductor

      48 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 556FBGA Mass Production.

    • K3UH6H60BM-EGCL

      Samsung Semiconductor

      48 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 376FBGA Mass Production.

    • K3UH7H70AM-AGCL

      Samsung Semiconductor

      64 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 556FBGA Mass Production.

    Гарачыя часткі