JAN1N4150UR-1 Цэнаўтварэнне (USD) [50084шт шт]
- 1 pcs$1.35295
- Частка нумар:
- JAN1N4150UR-1
- Вытворца:
- Microsemi Corporation
- Падрабязнае апісанне:
- DIODE GEN PURP 50V 200MA DO213AA. Diodes - General Purpose, Power, Switching Switching Diode
- Manufacturer's standard lead time:
- У наяўнасці
- Тэрмін прыдатнасці:
- Адзін год
- Фішка ад:
- Ганконг
- RoHS:
- Спосаб аплаты:
-
- Адгрузка спосабам:
- Катэгорыі сям'і:
- KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, загадзя п, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, Транзістары - IGBT - Модулі, Транзістары - біпалярныя (BJT) - аднамесныя, з пап, Транзістары - IGBT - адзінкавыя, Дыёды - выпрамнікі - масівы, Дыёды - Зэнер - Адзінокі and Транзістары - праграмуемыя супярэчнікі ...
- Канкурэнтная перавага:
- Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Microsemi Corporation JAN1N4150UR-1. JAN1N4150UR-1 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
JAN1N4150UR-1 Атрыбуты прадукту
Частка нумар :
JAN1N4150UR-1
Вытворца :
Microsemi Corporation
Апісанне :
DIODE GEN PURP 50V 200MA DO213AA
Серыя :
Military, MIL-PRF-19500/231
Статус часткі :
Active
Дыёдны тып :
Standard
Напружанне - рэверс пастаяннага току (Vr) (макс.) :
50V
Ток - Сярэдняя выпраўленасць (Io) :
200mA (DC)
Напруга - наперад (Vf) (макс.) @ Калі :
1V @ 200mA
Хуткасць :
Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Рэверсны час аднаўлення (TRR) :
4ns
Ток - Зваротная ўцечка @ Vr :
100nA @ 50V
Ёмістасць @ Vr, F :
-
Тып мантажу :
Surface Mount
Пакет / футляр :
DO-213AA
Пакет прылад пастаўшчыка :
DO-213AA
Працоўная тэмпература - развязка :
-65°C ~ 175°C
Апошнія навіны
Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
-
V35PWM45HM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 45V 35A SLIMDPAK. Schottky Diodes & Rectifiers 35A If(AV) TO-252AE AEC-Q101 Qualified
-
V35PWM12-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 120V 35A SLIMDPAK. Schottky Diodes & Rectifiers If(AV)35A Vrrm 120V TMBS eSMP Trench MOS
-
V20PWM10-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 100V 20A SLIMDPAK. Schottky Diodes & Rectifiers Single Die TO-252AE 20A If(AV)
-
V35PW12-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 120V 35A SLIMDPAK. Schottky Diodes & Rectifiers Single Die TO-252AE 35A If(AV)
-
V35PW15HM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 150V 35A SLIMDPAK. Schottky Diodes & Rectifiers 35A If(AV) TO-252AE AEC-Q101 Qualified
-
V20PW12-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 120V 20A SLIMDPAK. Schottky Diodes & Rectifiers Single Die TO-252AE 20A If(AV)
Гарачыя часткі
- MBRB10H50HE3/45
- MBRB16H35-E3/81
- GP10KE-M3/73
- 1N4005-N-0-2-BP
- 1N4003 BK
- IRD3CH31DB6
- SS310HE-TP
- CLL914 BK
- JANTX1N6761UR-1
- GP10-4003E-M3/54
- EGP10F-M3/54
- VS-30WQ06FNTRLPBF
- UH1B-E3/61T
- MBRF7H60HE3/45
- RGP15DHE3/54
- RB420D-TP
- VS-90SQ045TR
- DGP20HE3/54
- 1N5622GP-E3/73
- U1GWJ49(TE12L,F)
- STTH3R04
- 2A02-T
- STTH10R04G
- FFPF04U150STU
- VS-20L15TPBF
- MBR2515L
- MBR845RL
- B280-13
- 60CPF10
- 40EPS08
- MA3X72100L
- MA2J11600L
- DL4001
- IDD15E60BUMA1
- 2A01-TP
- IDW30E60AFKSA1
- RGP02-14E-E3/73
- HS5M M6G
- GL41DHE3/97
- SE15PD-M3/85A