IXYS - MIXA80WB1200TEH

KEY Part #: K6534463

MIXA80WB1200TEH Цэнаўтварэнне (USD) [802шт шт]

  • 1 pcs$61.07262
  • 5 pcs$60.76878

Частка нумар:
MIXA80WB1200TEH
Вытворца:
IXYS
Падрабязнае апісанне:
IGBT MODULE 1200V 84A.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - БНТ, MOSFET - Масівы, Дыёды - пераменная ёмістасць (Varicaps, Varactors), Дыёды - Зэнер - Адзінокі, Транзістары - спецыяльнага прызначэння, Транзістары - IGBT - масівы, Транзістары - праграмуемыя супярэчнікі, Тырыстары - SCR - Модулі and Транзістары - біпалярныя (BJT) - аднамесныя, з пап ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах IXYS MIXA80WB1200TEH. MIXA80WB1200TEH можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MIXA80WB1200TEH Атрыбуты прадукту

Частка нумар : MIXA80WB1200TEH
Вытворца : IXYS
Апісанне : IGBT MODULE 1200V 84A
Серыя : -
Статус часткі : Active
Тып IGBT : PT
Канфігурацыя : Three Phase Inverter with Brake
Напружанне - Разбіўка выпраменьвальніка (макс.) : 1200V
Ток - калекцыянер (Ic) (макс.) : 120A
Магутнасць - Макс : 390W
Vce (на) (Max) @ Vge, Ic : 2.2V @ 15V, 77A
Ток - адключэнне калекцыі (макс.) : 200µA
Ёмістасць уводу (Cies) @ Vce : -
Увод : Three Phase Bridge Rectifier
NTC-цеплавізатар : Yes
Працоўная тэмпература : -40°C ~ 125°C (TJ)
Тып мантажу : Chassis Mount
Пакет / футляр : E3
Пакет прылад пастаўшчыка : E3

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • GA400TD25S

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT FAST 250V 400A INT-A-PAK.

  • CPV364M4F

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 15A IMS-2.

  • CPV363M4F

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 9A IMS-2.

  • GA200SA60U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT UFAST 600V 100A SOT227.

  • GA200SA60S

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT STD 600V 100A SOT227.

  • STGE50NC60VD

    STMicroelectronics

    IGBT 50A 600V ISOTOP.