Alliance Memory, Inc. - AS4C8M32MSA-6BIN

KEY Part #: K937521

AS4C8M32MSA-6BIN Цэнаўтварэнне (USD) [17157шт шт]

  • 1 pcs$2.67064

Частка нумар:
AS4C8M32MSA-6BIN
Вытворца:
Alliance Memory, Inc.
Падрабязнае апісанне:
IC DRAM 256M PARALLEL 90FBGA. DRAM 256M 166MHz 8Mx32 Mobile LP SDRAM IT
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Інтэрфейс - сігнальныя буферы, паўтаральнікі, разд, Логіка - зменныя рэестры, Логіка - спецыяльнасць логікі, Спецыялізаваныя ІС, PMIC - АБО кантролеры, ідэальныя дыёды, PMIC - Рэгулятары напружання - лінейныя, Інтэрфейс - датчык, ёмісты сэнсарны and PMIC - пераўтваральнікі ў пастаянны ток ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Alliance Memory, Inc. AS4C8M32MSA-6BIN. AS4C8M32MSA-6BIN можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

AS4C8M32MSA-6BIN Атрыбуты прадукту

Частка нумар : AS4C8M32MSA-6BIN
Вытворца : Alliance Memory, Inc.
Апісанне : IC DRAM 256M PARALLEL 90FBGA
Серыя : -
Статус часткі : Active
Тып памяці : Volatile
Фармат памяці : DRAM
Тэхналогіі : SDRAM - Mobile
Памер памяці : 256Mb (8M x 32)
Тактовая частата : 166MHz
Час цыкла напісання - слова, старонка : 15ns
Час доступу : 5.5ns
Інтэрфейс памяці : Parallel
Напружанне - падача : 1.14V ~ 1.95V
Працоўная тэмпература : -40°C ~ 85°C (TA)
Тып мантажу : Surface Mount
Пакет / футляр : 90-VFBGA
Пакет прылад пастаўшчыка : 90-FBGA (8x13)

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • MB85RS2MTAPH-G-JNE2

    Fujitsu Electronics America, Inc.

    IC FRAM 2M SPI 40MHZ 8DIP.

  • MB85RS1MTPH-G-JNE1

    Fujitsu Electronics America, Inc.

    IC FRAM 1M SPI 40MHZ 8DIP.

  • 71V25761S183PFGI8

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP. SRAM 4Mb PBSRAM 128K x 36 w/2.5V I/O Pipeline

  • EDB5432BEBH-1DAUT-F-D

    Micron Technology Inc.

    IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA.

  • TH58BYG2S3HBAI6

    Toshiba Memory America, Inc.

    IC FLASH 4G PARALLEL 67VFBGA. NAND Flash 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)

  • S25FS512SDSNFV013

    Cypress Semiconductor Corp

    IC FLASH 512M SPI 80MHZ. NOR Flash Nor