Microsemi Corporation - JANS1N6640

KEY Part #: K6441867

JANS1N6640 Цэнаўтварэнне (USD) [1378шт шт]

  • 1 pcs$31.41637
  • 10 pcs$29.56688
  • 25 pcs$27.71887

Частка нумар:
JANS1N6640
Вытворца:
Microsemi Corporation
Падрабязнае апісанне:
DIODE GEN PURP 50V 300MA DO204AH. Diodes - General Purpose, Power, Switching Switching Diode
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - праграмуемыя супярэчнікі, Дыёды - пераменная ёмістасць (Varicaps, Varactors), Дыёды - выпрамнікі - масівы, Дыёды - Зэнер - Адзінокі, Транзістары - JFET, Тырыстары - SCR - Модулі, Дыёды - Мастовыя выпрамнікі and Транзістары - біпалярныя (BJT) - адзінкавыя ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Microsemi Corporation JANS1N6640. JANS1N6640 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

JANS1N6640 Атрыбуты прадукту

Частка нумар : JANS1N6640
Вытворца : Microsemi Corporation
Апісанне : DIODE GEN PURP 50V 300MA DO204AH
Серыя : Military, MIL-PRF-19500/609
Статус часткі : Active
Дыёдны тып : Standard
Напружанне - рэверс пастаяннага току (Vr) (макс.) : 50V
Ток - Сярэдняя выпраўленасць (Io) : 300mA
Напруга - наперад (Vf) (макс.) @ Калі : 1V @ 200mA
Хуткасць : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Рэверсны час аднаўлення (TRR) : 4ns
Ток - Зваротная ўцечка @ Vr : 100nA @ 50V
Ёмістасць @ Vr, F : -
Тып мантажу : Through Hole
Пакет / футляр : DO-204AH, DO-35, Axial
Пакет прылад пастаўшчыка : -
Працоўная тэмпература - развязка : -65°C ~ 175°C

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • CDBDSC3650-G

    Comchip Technology

    DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO. Schottky Diodes & Rectifiers SiC POWER SCHOTTKY 3A 650V

  • CDBDSC51200-G

    Comchip Technology

    DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO. Schottky Diodes & Rectifiers SiC POWER SCHOTTKY 5A 1200V

  • VS-30EPH06-N3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 30A TO247AC. Rectifiers 30A 600V Hyperfast

  • VS-E4PU6006L-N3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 60A TO247AD. Rectifiers 600V 60A FRED Pt TO-247 LL 2L

  • VS-60APU06PBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 60A TO247AC. Rectifiers 600 Volt 60 Amp

  • VS-60APH03-N3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 300V 60A TO247AC. Rectifiers 60A 300V Hyperfast 28ns FRED Pt