Microsemi Corporation - JAN1N4464CUS

KEY Part #: K6479713

JAN1N4464CUS Цэнаўтварэнне (USD) [3839шт шт]

  • 1 pcs$11.28034
  • 100 pcs$10.78989

Частка нумар:
JAN1N4464CUS
Вытворца:
Microsemi Corporation
Падрабязнае апісанне:
DIODE ZENER 9.1V 1.5W D-5A. Zener Diodes Zener Diodes
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Дыёды - пераменная ёмістасць (Varicaps, Varactors), Дыёды - Зэнер - Адзінокі, Транзістары - біпалярныя (BJT) - РФ, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, загадзя п, Тырыстары - TRIAC, Дыёды - Зэнер - Масівы, Дыёды - выпрамнікі - адзіночныя and Транзістары - праграмуемыя супярэчнікі ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Microsemi Corporation JAN1N4464CUS. JAN1N4464CUS можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

JAN1N4464CUS Атрыбуты прадукту

Частка нумар : JAN1N4464CUS
Вытворца : Microsemi Corporation
Апісанне : DIODE ZENER 9.1V 1.5W D-5A
Серыя : Military, MIL-PRF-19500/406
Статус часткі : Active
Напружанне - Зэнер (Ном) (Vz) : 9.1V
Талерантнасць : ±2%
Магутнасць - Макс : 1.5W
Імпеданс (макс.) (Zzt) : 4 Ohms
Ток - Зваротная ўцечка @ Vr : 300nA @ 5.46V
Напруга - наперад (Vf) (макс.) @ Калі : 1V @ 200mA
Працоўная тэмпература : -65°C ~ 175°C
Тып мантажу : Surface Mount
Пакет / футляр : SQ-MELF, A
Пакет прылад пастаўшчыка : D-5A

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • BAW156E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE ARRAY GP 80V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode

  • MMBD1705A

    ON Semiconductor

    DIODE ARRAY GP 30V 50MA SOT23-3.

  • SMBD7000E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE ARRAY GP 100V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching AF DIODE 100V 0.2A

  • 1SS181,LF

    Toshiba Semiconductor and Storage

    DIODE ARRAY GP 80V 100MA SC59. Diodes - General Purpose, Power, Switching Hi Spd Switch Diode 0.1A 80V VR

  • BAV170E6433HTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE ARRAY GP 80V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode Array

  • BAV70E6433HTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE ARRAY GP 80V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode 200mA