Diodes Incorporated - DMN26D0UFB4-7

KEY Part #: K6420993

DMN26D0UFB4-7 Цэнаўтварэнне (USD) [1369073шт шт]

  • 1 pcs$0.02715
  • 3,000 pcs$0.02702

Частка нумар:
DMN26D0UFB4-7
Вытворца:
Diodes Incorporated
Падрабязнае апісанне:
MOSFET N-CH 20V 230MA DFN.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Дыёды - Зэнер - Масівы, Транзістары - БНТ, МОФФЕТ - РФ, Транзістары - праграмуемыя супярэчнікі, Транзістары - IGBT - Модулі, Дыёды - Зэнер - Адзінокі, Тырыстары - SCR - Модулі, Дыёды - пераменная ёмістасць (Varicaps, Varactors) and Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, загадзя п ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Diodes Incorporated DMN26D0UFB4-7. DMN26D0UFB4-7 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMN26D0UFB4-7 Атрыбуты прадукту

Частка нумар : DMN26D0UFB4-7
Вытворца : Diodes Incorporated
Апісанне : MOSFET N-CH 20V 230MA DFN
Серыя : -
Статус часткі : Active
Тып FET : N-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 20V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 230mA (Ta)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3 Ohm @ 100mA, 4.5V
Vgs (й) (Max) @ Id : 1.1V @ 250µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : -
Vgs (макс.) : ±10V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 14.1pF @ 15V
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 350mW (Ta)
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу : Surface Mount
Пакет прылад пастаўшчыка : X2-DFN1006-3
Пакет / футляр : 3-XFDFN

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў