Taiwan Semiconductor Corporation - BYG21MHR3G

KEY Part #: K6445395

BYG21MHR3G Цэнаўтварэнне (USD) [968130шт шт]

  • 1 pcs$0.03821

Частка нумар:
BYG21MHR3G
Вытворца:
Taiwan Semiconductor Corporation
Падрабязнае апісанне:
DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC. Rectifiers 1.5A, 1000V Fast avalanche Surface Mount Rectifier
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Дыёды - Мастовыя выпрамнікі, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, загадзя п, Транзістары - JFET, Транзістары - біпалярныя (BJT) - адзінкавыя, Тырыстары - SCR - Модулі, Модулі драйвераў харчавання, Тырыстары - TRIAC and Транзістары - БНТ, MOSFET - Масівы ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Taiwan Semiconductor Corporation BYG21MHR3G. BYG21MHR3G можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BYG21MHR3G Атрыбуты прадукту

Частка нумар : BYG21MHR3G
Вытворца : Taiwan Semiconductor Corporation
Апісанне : DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC
Серыя : -
Статус часткі : Active
Дыёдны тып : Avalanche
Напружанне - рэверс пастаяннага току (Vr) (макс.) : 1000V
Ток - Сярэдняя выпраўленасць (Io) : 1.5A
Напруга - наперад (Vf) (макс.) @ Калі : 1.6V @ 1.5A
Хуткасць : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Рэверсны час аднаўлення (TRR) : 120ns
Ток - Зваротная ўцечка @ Vr : 1µA @ 1000V
Ёмістасць @ Vr, F : 13pF @ 4V, 1MHz
Тып мантажу : Surface Mount
Пакет / футляр : DO-214AC, SMA
Пакет прылад пастаўшчыка : DO-214AC (SMA)
Працоўная тэмпература - развязка : -55°C ~ 150°C

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • C2D05120E

    Cree/Wolfspeed

    DIODE SCHOTTKY 1.2KV 17.5A TO252.

  • VS-20ETF04FPPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 20A TO220FP.

  • VS-80EPS08PBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 800V 80A TO247AC.

  • VS-80EPF12PBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1.2KV 80A TO247AC.

  • VS-80EPF06PBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 80A TO247AC.

  • VS-60CPF12PBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1.2KV 60A TO247AC.