ISSI, Integrated Silicon Solution Inc - IS43R16320E-6BL

KEY Part #: K936978

IS43R16320E-6BL Цэнаўтварэнне (USD) [15541шт шт]

  • 1 pcs$2.94826

Частка нумар:
IS43R16320E-6BL
Вытворца:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Падрабязнае апісанне:
IC DRAM 512M PARALLEL 166MHZ. DRAM 512M, 2.5V, DDR 32Mx16, 166MHz, 60 ball BGA (8mmx13mm) RoHS
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Убудаваны - Мікракантролеры - Спецыфічнае прымянен, Логіка - зменныя рэестры, PMIC - Драйверы варот, Гадзіннік / тэрміны - буферныя гадзіны, драйверы, Інтэрфейс - Модулі, Лінейныя - узмацняльнікі - відэа ўзмацняльнікі і м, Аўдыё спецыяльнага прызначэння and Інтэрфейс - UARTs (Універсальны асінхронны перадат ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R16320E-6BL. IS43R16320E-6BL можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IS43R16320E-6BL Атрыбуты прадукту

Частка нумар : IS43R16320E-6BL
Вытворца : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Апісанне : IC DRAM 512M PARALLEL 166MHZ
Серыя : -
Статус часткі : Active
Тып памяці : Volatile
Фармат памяці : DRAM
Тэхналогіі : SDRAM - DDR
Памер памяці : 512Mb (32M x 16)
Тактовая частата : 166MHz
Час цыкла напісання - слова, старонка : 15ns
Час доступу : 700ps
Інтэрфейс памяці : Parallel
Напружанне - падача : 2.3V ~ 2.7V
Працоўная тэмпература : 0°C ~ 70°C (TA)
Тып мантажу : Surface Mount
Пакет / футляр : 60-TFBGA
Пакет прылад пастаўшчыка : 60-TFBGA (13x8)

Апошнія навіны

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • AT28HC256E-12SU-T

    Microchip Technology

    IC EEPROM 256K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 120NS, SOIC, IND TEMP, GREEN

  • AT28BV256-20SU

    Microchip Technology

    IC EEPROM 256K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 256K 2.7V - 3.6V SDP- 200NS IND TEMP

  • AT28C256-15SU

    Microchip Technology

    IC EEPROM 256K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 256K 11MIL GRIND 150NS IND TEMP

  • AT28HC256E-90SU-T

    Microchip Technology

    IC EEPROM 256K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 90NS, SOIC, IND TEMP, GREEN

  • 71V25761S183PFGI

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP. SRAM 128Kx36 SYNC 3.3V PIPELINED BURST SRAM

  • W29N04GVBIAF

    Winbond Electronics

    IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA. NAND Flash 4G-bit NAND flash, 3V, 4-bit ECC, 3V, x8