S5B M6G Цэнаўтварэнне (USD) [574243шт шт]
- 1 pcs$0.06441
- Частка нумар:
- S5B M6G
- Вытворца:
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Падрабязнае апісанне:
- DIODE GEN PURP 100V 5A DO214AB.
- Manufacturer's standard lead time:
- У наяўнасці
- Тэрмін прыдатнасці:
- Адзін год
- Фішка ад:
- Ганконг
- RoHS:
- Спосаб аплаты:
-
- Адгрузка спосабам:
- Катэгорыі сям'і:
- KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - JFET, Дыёды - РФ, Тырыстары - DIAC, SIDAC, Транзістары - біпалярныя (BJT) - РФ, Дыёды - Зэнер - Масівы, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, загадзя п, Дыёды - пераменная ёмістасць (Varicaps, Varactors) and Транзістары - праграмуемыя супярэчнікі ...
- Канкурэнтная перавага:
- Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Taiwan Semiconductor Corporation S5B M6G. S5B M6G можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
S5B M6G Атрыбуты прадукту
Частка нумар :
S5B M6G
Вытворца :
Taiwan Semiconductor Corporation
Апісанне :
DIODE GEN PURP 100V 5A DO214AB
Серыя :
-
Статус часткі :
Not For New Designs
Дыёдны тып :
Standard
Напружанне - рэверс пастаяннага току (Vr) (макс.) :
100V
Ток - Сярэдняя выпраўленасць (Io) :
5A
Напруга - наперад (Vf) (макс.) @ Калі :
1.15V @ 5A
Хуткасць :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Рэверсны час аднаўлення (TRR) :
1.5µs
Ток - Зваротная ўцечка @ Vr :
10µA @ 100V
Ёмістасць @ Vr, F :
60pF @ 4V, 1MHz
Тып мантажу :
Surface Mount
Пакет / футляр :
DO-214AB, SMC
Пакет прылад пастаўшчыка :
DO-214AB (SMC)
Працоўная тэмпература - развязка :
-55°C ~ 150°C
Апошнія навіны
Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
-
-
CMDSH05-4 TR
Central Semiconductor Corp
DIODE SCHOTTKY 40V 500MA SOD323. Schottky Diodes & Rectifiers 40V Low Vf Schottky 500mA If 250mW
-
GL41YHE3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 1.6KV 1A DO213AB. Rectifiers 1 Amp 1600 Volt 30 Amp IFSM
-
RGL34KHE3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 800V 500MA DO213. Rectifiers 800 Volt 0.5A 250ns 10 Amp IFSM
-
GL34BHE3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 100V 500MA DO213. Rectifiers 100 Volt 0.5 Amp 10 Amp IFSM
-
GL34AHE3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 50V 500MA DO213AA. Rectifiers 50 Volt 0.5 Amp 10 Amp IFSM
Гарачыя часткі
- APT10SCE120B
- MBR3100VP-G1
- FR206TA
- CMR3U-04 BK
- CMR3U-01 BK
- VS-18TQ035SPBF
- BAY80-TAP
- SS3H10HE3_A/H
- VS-6TQ035STRRPBF
- BAS1602WH6327XTSA1
- APT20SCD120B
- MBRF750HE3/45
- STPS30SM60D
- S5JHE3/9AT
- 1N3743G R G
- SR304-T-F
- GPP60D-E3/54
- 20ETF12FP
- DGP30HE3/54
- S3520
- MX1H5615
- MA3X028TAL
- USD245
- D6025L
- RK 14V1
- STTH8L06DIRG
- 1N5293UR-1
- 1N4002RL
- 20ETF02STRR
- UF4007 TR
- BY329-1200,127
- S1G-F
- 1F1-TP
- UF5406-AP
- 1N649UR-1
- FESF16HTHE3/45
- FES8AT-E3/45
- RP 3FV4
- RFN5BM2SFHTL
- BAS283-GS18