Infineon Technologies - IRFS4010TRLPBF

KEY Part #: K6417529

IRFS4010TRLPBF Цэнаўтварэнне (USD) [33940шт шт]

  • 1 pcs$1.21430
  • 800 pcs$0.82790

Частка нумар:
IRFS4010TRLPBF
Вытворца:
Infineon Technologies
Падрабязнае апісанне:
MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - біпалярныя (BJT) - аднамесныя, з пап, Тырыстары - TRIAC, Транзістары - IGBT - масівы, Транзістары - праграмуемыя супярэчнікі, Транзістары - біпалярныя (BJT) - адзінкавыя, Транзістары - БНТ, МОФФЕТ - РФ, Тырыстары - DIAC, SIDAC and Дыёды - Мастовыя выпрамнікі ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Infineon Technologies IRFS4010TRLPBF. IRFS4010TRLPBF можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRFS4010TRLPBF Атрыбуты прадукту

Частка нумар : IRFS4010TRLPBF
Вытворца : Infineon Technologies
Апісанне : MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK
Серыя : HEXFET®
Статус часткі : Active
Тып FET : N-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 100V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 180A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.7 mOhm @ 106A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 215nC @ 10V
Vgs (макс.) : ±20V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 9575pF @ 50V
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 375W (Tc)
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 175°C (TJ)
Тып мантажу : Surface Mount
Пакет прылад пастаўшчыка : D2PAK
Пакет / футляр : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў