Vishay Siliconix - SI3983DV-T1-GE3

KEY Part #: K6524054

[3960шт шт]


    Частка нумар:
    SI3983DV-T1-GE3
    Вытворца:
    Vishay Siliconix
    Падрабязнае апісанне:
    MOSFET 2P-CH 20V 2.1A 6-TSOP.
    Manufacturer's standard lead time:
    У наяўнасці
    Тэрмін прыдатнасці:
    Адзін год
    Фішка ад:
    Ганконг
    RoHS:
    Спосаб аплаты:
    Адгрузка спосабам:
    Катэгорыі сям'і:
    KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Тырыстары - DIAC, SIDAC, Дыёды - Зэнер - Адзінокі, Дыёды - пераменная ёмістасць (Varicaps, Varactors), Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, загадзя п, Дыёды - Зэнер - Масівы, Тырыстары - SCR, Транзістары - IGBT - масівы and Транзістары - БНТ, МОФФЕТ - РФ ...
    Канкурэнтная перавага:
    Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Vishay Siliconix SI3983DV-T1-GE3. SI3983DV-T1-GE3 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    SI3983DV-T1-GE3 Атрыбуты прадукту

    Частка нумар : SI3983DV-T1-GE3
    Вытворца : Vishay Siliconix
    Апісанне : MOSFET 2P-CH 20V 2.1A 6-TSOP
    Серыя : TrenchFET®
    Статус часткі : Obsolete
    Тып FET : 2 P-Channel (Dual)
    Функцыя FET : Logic Level Gate
    Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 20V
    Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 2.1A
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 110 mOhm @ 2.5A, 4.5V
    Vgs (й) (Max) @ Id : 1.1V @ 250µA
    Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 7.5nC @ 4.5V
    Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : -
    Магутнасць - Макс : 830mW
    Працоўная тэмпература : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Тып мантажу : Surface Mount
    Пакет / футляр : SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
    Пакет прылад пастаўшчыка : 6-TSOP

    Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў