DB2G43200L1 Цэнаўтварэнне (USD) [436607шт шт]
- 1 pcs$0.08472
- Частка нумар:
- DB2G43200L1
- Вытворца:
- Panasonic Electronic Components
- Падрабязнае апісанне:
- CSP SCHOTTKY BARRIER DIODE.
- Manufacturer's standard lead time:
- У наяўнасці
- Тэрмін прыдатнасці:
- Адзін год
- Фішка ад:
- Ганконг
- RoHS:
- Спосаб аплаты:
-
- Адгрузка спосабам:
- Катэгорыі сям'і:
- KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - БНТ, MOSFET - Масівы, Транзістары - біпалярныя (BJT) - адзінкавыя, Дыёды - РФ, Тырыстары - DIAC, SIDAC, Транзістары - IGBT - адзінкавыя, Транзістары - біпалярныя (BJT) - РФ, Тырыстары - SCR - Модулі and Тырыстары - SCR ...
- Канкурэнтная перавага:
- Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Panasonic Electronic Components DB2G43200L1. DB2G43200L1 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
DB2G43200L1 Атрыбуты прадукту
Частка нумар :
DB2G43200L1
Вытворца :
Panasonic Electronic Components
Апісанне :
CSP SCHOTTKY BARRIER DIODE
Серыя :
-
Статус часткі :
Active
Дыёдны тып :
Schottky
Напружанне - рэверс пастаяннага току (Vr) (макс.) :
40V
Ток - Сярэдняя выпраўленасць (Io) :
2A
Напруга - наперад (Vf) (макс.) @ Калі :
520mV @ 2A
Хуткасць :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Рэверсны час аднаўлення (TRR) :
14ns
Ток - Зваротная ўцечка @ Vr :
400µA @ 40V
Ёмістасць @ Vr, F :
47pF @ 10V, 1MHz
Тып мантажу :
Surface Mount
Пакет / футляр :
0404 (1010 Metric)
Пакет прылад пастаўшчыка :
DCSP1010010-N1
Працоўная тэмпература - развязка :
150°C (Max)
Апошнія навіны
Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
-
SCS212AJTLL
Rohm Semiconductor
DIODE SCHOTTKY 650V 12A TO263AB. Schottky Diodes & Rectifiers SiC, SBD 650V 12A DPAK
-
SCS210AJHRTLL
Rohm Semiconductor
DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO263AB. Schottky Diodes & Rectifiers 650V 10A SiC SBD AEC-Q101 Qualified
-
VS-8EWF02S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 200V 8A TO252AA. Diodes - General Purpose, Power, Switching New Input Diodes - D-PAK-e3
-
VS-HFA15TB60-1-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 15A TO220AC. Rectifiers 600V 15A TO-262 HexFred
-
V30100SG-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 100V 30A TO220AB. Schottky Diodes & Rectifiers 30 Amp 100 Volt Single TrenchMOS
-
Гарачыя часткі
- BAS16J/ZLF
- R7004203XXUA
- 1N4148 BK
- MBRH30040L
- VS-8ETX06STRLPBF
- 1N3292B
- V20100SHM3/4W
- RGP10D-M3/54
- RGP02-20E-M3/54
- RGP10AHM3/73
- SSB44HE3/52T
- RK 39
- CD214B-B230LF
- CD214B-B120LF
- CD214A-B220LF
- CDBMH2100-HF
- 1N3900R
- NSR05F30NRT5G
- UG5JT-E3/45
- FES16ATHE3/45
- DTV32F-E3/45
- 1N5401-AP
- SS3P6LHM3/86A
- SS2H9HE3/5BT
- S4PGHM3/87A
- 1N4002_NL
- UG2003-T
- SIDC32D170HX1SA3
- SIDC09D60E6YX1SA1
- JANTX1N6623
- STTA106U
- 1N5404RL
- MA2778400L
- IRKE166/14
- IRD3910R
- FR505-TP
- SE20DBHM3/I
- ES3B-M3/57T
- MUR315S M6G
- ES2A-M3/52T