Alliance Memory, Inc. - AS4C128M8D2-25BIN

KEY Part #: K937506

AS4C128M8D2-25BIN Цэнаўтварэнне (USD) [17157шт шт]

  • 1 pcs$2.67064
  • 10 pcs$2.43663
  • 25 pcs$2.39018
  • 50 pcs$2.37387
  • 100 pcs$2.12951
  • 250 pcs$2.12132
  • 500 pcs$1.98891
  • 1,000 pcs$1.90427

Частка нумар:
AS4C128M8D2-25BIN
Вытворца:
Alliance Memory, Inc.
Падрабязнае апісанне:
IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA. DRAM 1G, 1.8V, 128M x 16 DDR2
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Набыццё дадзеных - лічбавыя ў аналагавыя пераўтвар, Логіка - лічыльнікі, дзельнікі, PMIC - кантролер харчавання Ethernet (PoE), Убудаваны - FPGA (палявая праграмуемая брама), PMIC - Святлодыёдныя драйверы, Інтэрфейс - серыялізатары, дэсерыялізатары, Логіка - кампаратары and Убудаваныя - мікракантролеры ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Alliance Memory, Inc. AS4C128M8D2-25BIN. AS4C128M8D2-25BIN можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

AS4C128M8D2-25BIN Атрыбуты прадукту

Частка нумар : AS4C128M8D2-25BIN
Вытворца : Alliance Memory, Inc.
Апісанне : IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA
Серыя : -
Статус часткі : Active
Тып памяці : Volatile
Фармат памяці : DRAM
Тэхналогіі : SDRAM - DDR2
Памер памяці : 1Gb (128M x 8)
Тактовая частата : 400MHz
Час цыкла напісання - слова, старонка : 15ns
Час доступу : 400ps
Інтэрфейс памяці : Parallel
Напружанне - падача : 1.7V ~ 1.9V
Працоўная тэмпература : -40°C ~ 95°C (TC)
Тып мантажу : Surface Mount
Пакет / футляр : 60-TFBGA
Пакет прылад пастаўшчыка : 60-FBGA (8x10)

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • MB85RS2MTAPH-G-JNE2

    Fujitsu Electronics America, Inc.

    IC FRAM 2M SPI 40MHZ 8DIP.

  • AT28BV256-20SU-T

    Microchip Technology

    IC EEPROM 256K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 200NS, SOIC, IND TEMP, GREEN

  • AT28C256-15SU-T

    Microchip Technology

    IC EEPROM 256K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 150NS, SOIC, IND TEMP, GREEN

  • 71V25761S183PFGI8

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP. SRAM 4Mb PBSRAM 128K x 36 w/2.5V I/O Pipeline

  • EDB5432BEBH-1DAUT-F-D

    Micron Technology Inc.

    IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA.

  • TH58BYG2S3HBAI6

    Toshiba Memory America, Inc.

    IC FLASH 4G PARALLEL 67VFBGA. NAND Flash 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)