Частка нумар :
IR2117SPBF
Вытворца :
Infineon Technologies
Апісанне :
IC MOSFET DRIVER 1CHAN 8SOIC
Кіраваная канфігурацыя :
High-Side
Тып варот :
IGBT, N-Channel MOSFET
Напружанне - падача :
10V ~ 20V
Логічнае напружанне - VIL, VIH :
6V, 9.5V
Ток - максімальная прадукцыйнасць (крыніца, ракавіна) :
250mA, 500mA
Тып уводу :
Non-Inverting
Высокае бакавое напружанне - макс. (Загрузачны) :
600V
Час ўздыму / падзення (тып) :
80ns, 40ns
Працоўная тэмпература :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу :
Surface Mount
Пакет / футляр :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Пакет прылад пастаўшчыка :
8-SOIC