Microsemi Corporation - JANTXV1N6761UR-1

KEY Part #: K6446179

Катэгорыі сям'і:: KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, Дыёды - выпрамнікі - масівы, Транзістары - FET, MOSFET - адзінкавыя, Транзістары - біпалярныя (BJT) - РФ, Тырыстары - TRIAC, Дыёды - Зэнер - Адзінокі, Дыёды - Мастовыя выпрамнікі and Дыёды - выпрамнікі - адзіночныя ...

Канкурэнтная перавага:: Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Microsemi Corporation JANTXV1N6761UR-1. JANTXV1N6761UR-1 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com

Частка нумар : JANTXV1N6761UR-1

Вытворца : Microsemi Corporation

Апісанне : DIODE SCHOTTKY 100V 1A DO41

Серыя : Military, MIL-PRF-19500/586

Статус часткі : Active

Дыёдны тып : Schottky

Напружанне - рэверс пастаяннага току (Vr) (макс.) : 100V

Ток - Сярэдняя выпраўленасць (Io) : 1A

Напруга - наперад (Vf) (макс.) @ Калі : 380mV @ 100mA

Хуткасць : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Рэверсны час аднаўлення (TRR) : -

Ток - Зваротная ўцечка @ Vr : 100µA @ 100V

Ёмістасць @ Vr, F : 70pF @ 5V, 1MHz

Тып мантажу : Surface Mount

Пакет / футляр : DO-213AB, MELF (Glass)

Пакет прылад пастаўшчыка : DO-213AB (MELF, LL41)

Працоўная тэмпература - развязка : -65°C ~ 150°C

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў

VS-8EWF12STRLPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 1.2KV 8A D-PAK.
VS-8EWF12STRRPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 1.2KV 8A D-PAK.
VT2080SHM3/4W

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE SCHOTTKY 80V 20A TO220AB.
VS-20ATS08PBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 800V 20A TO220AB.
VSB1545-M3/73

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE SCHOTTKY 45V 6A P600.
VSB15L45-M3/73

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE SCHOTTKY 45V 7A P600.

Гарачыя часткі