Taiwan Semiconductor Corporation - ES2HR5G

KEY Part #: K6429025

ES2HR5G Цэнаўтварэнне (USD) [827402шт шт]

  • 1 pcs$0.04470

Частка нумар:
ES2HR5G
Вытворца:
Taiwan Semiconductor Corporation
Падрабязнае апісанне:
DIODE GEN PURP 500V 2A DO214AA.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Дыёды - пераменная ёмістасць (Varicaps, Varactors), Дыёды - Мастовыя выпрамнікі, Дыёды - выпрамнікі - масівы, Транзістары - FET, MOSFET - адзінкавыя, Транзістары - IGBT - адзінкавыя, Транзістары - спецыяльнага прызначэння, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы and Дыёды - выпрамнікі - адзіночныя ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Taiwan Semiconductor Corporation ES2HR5G. ES2HR5G можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

ES2HR5G Атрыбуты прадукту

Частка нумар : ES2HR5G
Вытворца : Taiwan Semiconductor Corporation
Апісанне : DIODE GEN PURP 500V 2A DO214AA
Серыя : Automotive, AEC-Q101
Статус часткі : Active
Дыёдны тып : Standard
Напружанне - рэверс пастаяннага току (Vr) (макс.) : 500V
Ток - Сярэдняя выпраўленасць (Io) : 2A
Напруга - наперад (Vf) (макс.) @ Калі : 1.7V @ 2A
Хуткасць : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Рэверсны час аднаўлення (TRR) : 35ns
Ток - Зваротная ўцечка @ Vr : 10µA @ 500V
Ёмістасць @ Vr, F : 20pF @ 4V, 1MHz
Тып мантажу : Surface Mount
Пакет / футляр : DO-214AA, SMB
Пакет прылад пастаўшчыка : DO-214AA (SMB)
Працоўная тэмпература - развязка : -55°C ~ 150°C

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • DB3X313K0L

    Panasonic Electronic Components

    DIODE SCHOTTKY 30V 200MA MINI3.

  • DA3X107K0L

    Panasonic Electronic Components

    DIODE GEN PURP 300V 100MA MINI3.

  • 1SS190TE85LF

    Toshiba Semiconductor and Storage

    DIODE GEN PURP 80V 100MA SC59-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching 0.1A 80V Switching Diode S-Mini High

  • S1AFG-M3/6A

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 1A DO221AC. Rectifiers 1A, 400V, SLIM SMA, STD GPP, SM RECT

  • SRA10100 C0G

    Taiwan Semiconductor Corporation

    DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO220AC. Schottky Diodes & Rectifiers 10A 100V Schottky Rectifier

  • MBR1050HC0G

    Taiwan Semiconductor Corporation

    DIODE GEN PURP 50V 10A TO220AC.