Diodes Incorporated - DMTH10H005LCT

KEY Part #: K6393806

DMTH10H005LCT Цэнаўтварэнне (USD) [39626шт шт]

  • 1 pcs$0.98672
  • 50 pcs$0.91982

Частка нумар:
DMTH10H005LCT
Вытворца:
Diodes Incorporated
Падрабязнае апісанне:
MOSFET N-CH 100V 140A TO220AB.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Дыёды - выпрамнікі - масівы, Транзістары - JFET, Транзістары - БНТ, МОФФЕТ - РФ, Транзістары - біпалярныя (BJT) - РФ, Транзістары - IGBT - адзінкавыя, Транзістары - БНТ, MOSFET - Масівы, Транзістары - IGBT - Модулі and Тырыстары - SCR - Модулі ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Diodes Incorporated DMTH10H005LCT. DMTH10H005LCT можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMTH10H005LCT Атрыбуты прадукту

Частка нумар : DMTH10H005LCT
Вытворца : Diodes Incorporated
Апісанне : MOSFET N-CH 100V 140A TO220AB
Серыя : Automotive, AEC-Q101
Статус часткі : Active
Тып FET : N-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 100V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 140A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 5 mOhm @ 13A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id : 3.5V @ 250µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 114nC @ 10V
Vgs (макс.) : ±20V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 3688pF @ 50V
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 187W (Tc)
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу : Through Hole
Пакет прылад пастаўшчыка : TO-220AB
Пакет / футляр : TO-220-3

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • DMP2035UVTQ-7

    Diodes Incorporated

    MOSFET P-CH 20V 7.2A TSOT26.

  • FDD5670

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 52A D-PAK.

  • FDD24AN06LA0-F085

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 40A TO-252.

  • FDD5680

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 8.5A D-PAK.

  • IRFIBC40G

    Vishay Siliconix

    MOSFET N-CH 600V 3.5A TO220FP.

  • IRFI820G

    Vishay Siliconix

    MOSFET N-CH 500V 2.1A TO220FP.