Microsemi Corporation - JANTXV1N3766R

KEY Part #: K6442950

JANTXV1N3766R Цэнаўтварэнне (USD) [1215шт шт]

  • 1 pcs$35.82356
  • 100 pcs$35.64533

Частка нумар:
JANTXV1N3766R
Вытворца:
Microsemi Corporation
Падрабязнае апісанне:
DIODE GEN PURP 800V 35A DO203AB. Rectifiers Rectifier
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Тырыстары - SCR - Модулі, Дыёды - выпрамнікі - адзіночныя, Дыёды - Мастовыя выпрамнікі, Тырыстары - DIAC, SIDAC, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, загадзя п, Транзістары - БНТ, MOSFET - Масівы, Транзістары - IGBT - масівы and Тырыстары - SCR ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Microsemi Corporation JANTXV1N3766R. JANTXV1N3766R можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

JANTXV1N3766R Атрыбуты прадукту

Частка нумар : JANTXV1N3766R
Вытворца : Microsemi Corporation
Апісанне : DIODE GEN PURP 800V 35A DO203AB
Серыя : Military, MIL-PRF-19500/297
Статус часткі : Active
Дыёдны тып : Standard, Reverse Polarity
Напружанне - рэверс пастаяннага току (Vr) (макс.) : 800V
Ток - Сярэдняя выпраўленасць (Io) : 35A
Напруга - наперад (Vf) (макс.) @ Калі : 1.4V @ 110A
Хуткасць : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Рэверсны час аднаўлення (TRR) : -
Ток - Зваротная ўцечка @ Vr : 10µA @ 800V
Ёмістасць @ Vr, F : -
Тып мантажу : Chassis, Stud Mount
Пакет / футляр : DO-203AB, DO-5, Stud
Пакет прылад пастаўшчыка : DO-5
Працоўная тэмпература - развязка : -65°C ~ 175°C

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • VS-8EWS12STRLPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1.2KV 8A D-PAK.

  • VS-8EWS08STRRPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 800V 8A D-PAK.

  • VS-8EWS08STRPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 800V 8A D-PAK.

  • VS-8EWS08STRLPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 800V 8A D-PAK.

  • VS-8EWF12STRPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1.2KV 8A D-PAK.

  • VS-8EWF06STRPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 8A D-PAK.