Microsemi Corporation - UES1102SM

KEY Part #: K6440107

UES1102SM Цэнаўтварэнне (USD) [3770шт шт]

  • 1 pcs$12.53226
  • 10 pcs$11.59130
  • 25 pcs$10.65164
  • 100 pcs$9.89975
  • 250 pcs$9.08522

Частка нумар:
UES1102SM
Вытворца:
Microsemi Corporation
Падрабязнае апісанне:
DIODE GEN PURP 100V 2.5A A-MELF. Rectifiers Rectifier
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - біпалярныя (BJT) - аднамесныя, з пап, Транзістары - JFET, Дыёды - выпрамнікі - масівы, Транзістары - біпалярныя (BJT) - РФ, Транзістары - IGBT - адзінкавыя, Дыёды - выпрамнікі - адзіночныя, Транзістары - IGBT - масівы and Дыёды - Зэнер - Адзінокі ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Microsemi Corporation UES1102SM. UES1102SM можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

UES1102SM Атрыбуты прадукту

Частка нумар : UES1102SM
Вытворца : Microsemi Corporation
Апісанне : DIODE GEN PURP 100V 2.5A A-MELF
Серыя : -
Статус часткі : Active
Дыёдны тып : Standard
Напружанне - рэверс пастаяннага току (Vr) (макс.) : 100V
Ток - Сярэдняя выпраўленасць (Io) : 2.5A
Напруга - наперад (Vf) (макс.) @ Калі : -
Хуткасць : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Рэверсны час аднаўлення (TRR) : 25ns
Ток - Зваротная ўцечка @ Vr : 2µA @ 100V
Ёмістасць @ Vr, F : 3.5pF @ 6V, 1MHz
Тып мантажу : Surface Mount
Пакет / футляр : SQ-MELF, A
Пакет прылад пастаўшчыка : A-MELF
Працоўная тэмпература - развязка : 150°C (Max)

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • BAV19W-G3-18

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 250MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching 120 Volt 200mA 50ns 1A IFSM

  • BAV20W-E3-08

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 150V 250MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching 200V 625mA 1A IFSM

  • SD103CW-HE3-18

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 350MA 20V SOD123. Schottky Diodes & Rectifiers 5uA 20Volt 15A IFSM AUTO

  • 1N4148W-G3-18

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching 100 Volt 150mA 4ns 500mA IFSM

  • BAS16D-G3-18

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 75V 250MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching 100 Volt 250mA 6ns 500mA IFSM

  • SD101AW-E3-18

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 400MW 60V SOD123. Schottky Diodes & Rectifiers 30mA 60Volt 2A IFSM