ISSI, Integrated Silicon Solution Inc - IS64WV12816EDBLL-10BLA3

KEY Part #: K938099

Падрабязнае апісанне:: IC SRAM 2M PARALLEL 48MGA. SRAM 2Mb,High-Speed,Async,128K x 16,8ns/3.3v, or 10ns/2.4v-3.6v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS, Automotive temp, ECC

Катэгорыі сям'і:: KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: PMIC - Кіраванне батарэямі, PMIC - Кантролеры харчавання, маніторы, PMIC - Поўны, полумостовый драйвер, Убудаваны - DSP (лічбавыя сігнальныя працэсары), Інтэрфейс - аналагавыя перамыкачы, мультыплексары,, Інтэрфейс - UARTs (Універсальны асінхронны перадат, Інтэрфейс - сігнальныя буферы, паўтаральнікі, разд and PMIC - АБО кантролеры, ідэальныя дыёды ...

Канкурэнтная перавага:: Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS64WV12816EDBLL-10BLA3. IS64WV12816EDBLL-10BLA3 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com

Частка нумар : IS64WV12816EDBLL-10BLA3

Вытворца : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Апісанне : IC SRAM 2M PARALLEL 48MGA

Серыя : -

Статус часткі : Active

Тып памяці : Volatile

Фармат памяці : SRAM

Тэхналогіі : SRAM - Asynchronous

Памер памяці : 2Mb (128K x 16)

Тактовая частата : -

Час цыкла напісання - слова, старонка : 10ns

Час доступу : 10ns

Інтэрфейс памяці : Parallel

Напружанне - падача : 2.4V ~ 3.6V

Працоўная тэмпература : -40°C ~ 125°C (TA)

Тып мантажу : Surface Mount

Пакет / футляр : 48-TFBGA

Пакет прылад пастаўшчыка : 48-TFBGA (6x8)

Silicom MinnowBoard Turbot

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў

GD25S512MDFIGR

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

NOR FLASH.
71V3576S150PFGI

IDT, Integrated Device Technology Inc

IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP.
71V3577S75PFGI

IDT, Integrated Device Technology Inc

IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP. SRAM 4M 3.3V I/O PBSRAM SLOW X
TC58BYG2S0HBAI4

Toshiba Memory America, Inc.

4GB SLC BENAND 24NM BGA 9X11 EE. NAND Flash 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
TC58BVG2S0HBAI4

Toshiba Memory America, Inc.

IC FLASH 4G PARALLEL 63TFBGA. NAND Flash 3.3V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
TC58NVG2S0HBAI4

Toshiba Memory America, Inc.

IC FLASH 4G PARALLEL 63TFBGA. NAND Flash 3.3V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)

Гарачыя часткі