IXYS - IXFP110N15T2

KEY Part #: K6395190

IXFP110N15T2 Цэнаўтварэнне (USD) [32472шт шт]

  • 1 pcs$1.27840
  • 200 pcs$1.27204

Частка нумар:
IXFP110N15T2
Вытворца:
IXYS
Падрабязнае апісанне:
MOSFET N-CH 150V 110A TO-220.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - IGBT - масівы, Дыёды - РФ, Транзістары - FET, MOSFET - адзінкавыя, Транзістары - біпалярныя (BJT) - аднамесныя, з пап, Транзістары - БНТ, МОФФЕТ - РФ, Тырыстары - DIAC, SIDAC, Дыёды - Зэнер - Масівы and Транзістары - IGBT - адзінкавыя ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах IXYS IXFP110N15T2. IXFP110N15T2 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFP110N15T2 Атрыбуты прадукту

Частка нумар : IXFP110N15T2
Вытворца : IXYS
Апісанне : MOSFET N-CH 150V 110A TO-220
Серыя : GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™
Статус часткі : Active
Тып FET : N-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 150V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 110A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 13 mOhm @ 55A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id : 4.5V @ 250µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 150nC @ 10V
Vgs (макс.) : ±20V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 8600pF @ 25V
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 480W (Tc)
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 175°C (TJ)
Тып мантажу : Through Hole
Пакет прылад пастаўшчыка : TO-220AB
Пакет / футляр : TO-220-3

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • IXTY1N80P

    IXYS

    MOSFET N-CH 800V 1A TO-252.

  • IXTY48P05T

    IXYS

    MOSFET P-CH 50V 48A TO-252.

  • IXTY08N100P

    IXYS

    MOSFET N-CH 1000V 800MA TO-252.

  • IXTY1N100P

    IXYS

    MOSFET N-CH 1000V 1A TO-252.

  • FDN359BN

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 30V 2.7A SSOT3.

  • FDN358P

    ON Semiconductor

    MOSFET P-CH 30V 1.5A SSOT3.