GeneSiC Semiconductor - MBR12060CT

KEY Part #: K6468516

Падрабязнае апісанне:: DIODE MODULE 60V 120A 2TOWER. Schottky Diodes & Rectifiers 60V 120A Schottky Recovery

Катэгорыі сям'і:: KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Тырыстары - TRIAC, Дыёды - РФ, Транзістары - БНТ, MOSFET - Масівы, Транзістары - БНТ, МОФФЕТ - РФ, Транзістары - IGBT - адзінкавыя, Транзістары - IGBT - масівы, Транзістары - FET, MOSFET - адзінкавыя and Транзістары - праграмуемыя супярэчнікі ...

Канкурэнтная перавага:: Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах GeneSiC Semiconductor MBR12060CT. MBR12060CT можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com

Частка нумар : MBR12060CT

Вытворца : GeneSiC Semiconductor

Апісанне : DIODE MODULE 60V 120A 2TOWER

Серыя : -

Статус часткі : Active

Канфігурацыя дыёда : 1 Pair Common Anode

Дыёдны тып : Schottky

Напружанне - рэверс пастаяннага току (Vr) (макс.) : 60V

Ток - Сярэдняя выпраўленасць (Io) (на дыёд) : 120A (DC)

Напруга - наперад (Vf) (макс.) @ Калі : 750mV @ 60A

Хуткасць : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Рэверсны час аднаўлення (TRR) : -

Ток - Зваротная ўцечка @ Vr : 3mA @ 20V

Працоўная тэмпература - развязка : -55°C ~ 150°C

Тып мантажу : Chassis Mount

Пакет / футляр : Twin Tower

Пакет прылад пастаўшчыка : Twin Tower

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў

LQA10N150C

Power Integrations

DIODE CC 150V 5A DUAL TO252. Rectifiers 150V, Dual, 5A Ultra-Low Qrr Rect
MMBF4416A

ON Semiconductor

JFET N-CH 35V 15MA SOT23.
2SK209-GR(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

JFET N-CH SOT23.
BF999E6327HTSA1

Infineon Technologies

MOSFET N-CH RF 20V 30MA SOT-23.
MMBD1405A

ON Semiconductor

DIODE ARRAY GP 175V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching High Voltage General Purpose
BAS4005E6433HTMA1

Infineon Technologies

DIODE ARRAY SCHOTTKY 40V SOT23.