Частка нумар :
GP2M008A060PGH
Вытворца :
Global Power Technologies Group
Апісанне :
MOSFET N-CH 600V 7.5A IPAK
Тэхналогіі :
MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) :
600V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C :
7.5A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.2 Ohm @ 3.75A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id :
5V @ 250µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs :
23nC @ 10V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds :
1063pF @ 25V
Рассейванне магутнасці (макс.) :
120W (Tc)
Працоўная тэмпература :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу :
Through Hole
Пакет прылад пастаўшчыка :
I-PAK
Пакет / футляр :
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA