Частка нумар :
MUR20010CTR
Вытворца :
GeneSiC Semiconductor
Апісанне :
DIODE MODULE 100V 200A 2TOWER
Канфігурацыя дыёда :
1 Pair Common Anode
Напружанне - рэверс пастаяннага току (Vr) (макс.) :
100V
Ток - Сярэдняя выпраўленасць (Io) (на дыёд) :
200A (DC)
Напруга - наперад (Vf) (макс.) @ Калі :
1.3V @ 100A
Хуткасць :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Рэверсны час аднаўлення (TRR) :
75ns
Ток - Зваротная ўцечка @ Vr :
25µA @ 50V
Працоўная тэмпература - развязка :
-55°C ~ 150°C
Тып мантажу :
Chassis Mount
Пакет / футляр :
Twin Tower
Пакет прылад пастаўшчыка :
Twin Tower