Vishay Semiconductor Diodes Division - S5GHE3/9AT

KEY Part #: K6444090

[2568шт шт]


    Частка нумар:
    S5GHE3/9AT
    Вытворца:
    Vishay Semiconductor Diodes Division
    Падрабязнае апісанне:
    DIODE GEN PURP 400V 5A DO214AB.
    Manufacturer's standard lead time:
    У наяўнасці
    Тэрмін прыдатнасці:
    Адзін год
    Фішка ад:
    Ганконг
    RoHS:
    Спосаб аплаты:
    Адгрузка спосабам:
    Катэгорыі сям'і:
    KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Тырыстары - SCR, Тырыстары - TRIAC, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, загадзя п, Транзістары - IGBT - масівы, Транзістары - FET, MOSFET - адзінкавыя, Транзістары - біпалярныя (BJT) - адзінкавыя, Дыёды - пераменная ёмістасць (Varicaps, Varactors) and Транзістары - праграмуемыя супярэчнікі ...
    Канкурэнтная перавага:
    Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Vishay Semiconductor Diodes Division S5GHE3/9AT. S5GHE3/9AT можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    S5GHE3/9AT Атрыбуты прадукту

    Частка нумар : S5GHE3/9AT
    Вытворца : Vishay Semiconductor Diodes Division
    Апісанне : DIODE GEN PURP 400V 5A DO214AB
    Серыя : -
    Статус часткі : Obsolete
    Дыёдны тып : Standard
    Напружанне - рэверс пастаяннага току (Vr) (макс.) : 400V
    Ток - Сярэдняя выпраўленасць (Io) : 5A
    Напруга - наперад (Vf) (макс.) @ Калі : 1.15V @ 5A
    Хуткасць : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
    Рэверсны час аднаўлення (TRR) : 2.5µs
    Ток - Зваротная ўцечка @ Vr : 10µA @ 400V
    Ёмістасць @ Vr, F : 40pF @ 4V, 1MHz
    Тып мантажу : Surface Mount
    Пакет / футляр : DO-214AB, SMC
    Пакет прылад пастаўшчыка : DO-214AB (SMC)
    Працоўная тэмпература - развязка : -55°C ~ 150°C

    Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
    • RJU60C2SDPD-E0#J2

      Renesas Electronics America

      DIODE GEN PURP 600V 5A TO252. Diodes - General Purpose, Power, Switching Fast Recovery Diode 600V TO-252 IF=8A

    • RJU60C3SDPD-E0#J2

      Renesas Electronics America

      DIODE GEN PURP 600V 10A TO252. Diodes - General Purpose, Power, Switching FRD 600V/30A/90ns Trr/TO-252

    • VS-50WQ06FNTRRPBF

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE SCHOTTKY 60V 5.5A DPAK.

    • VS-50WQ06FNTRLPBF

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE SCHOTTKY 60V 5.5A DPAK.

    • VS-50WQ06FNTRPBF

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE SCHOTTKY 60V 5.5A DPAK.

    • VS-30WQ10FNTRPBF

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE SCHOTTKY 100V 3.5A DPAK.