IXYS - DSEI30-06A

KEY Part #: K6445437

DSEI30-06A Цэнаўтварэнне (USD) [26720шт шт]

  • 1 pcs$1.69669
  • 10 pcs$1.51513
  • 25 pcs$1.36335
  • 100 pcs$1.24225
  • 250 pcs$1.06355
  • 500 pcs$0.95431
  • 1,000 pcs$0.80484
  • 2,500 pcs$0.76460

Частка нумар:
DSEI30-06A
Вытворца:
IXYS
Падрабязнае апісанне:
DIODE GEN PURP 600V 37A TO247AD. Rectifiers 600V 37A
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - біпалярныя (BJT) - РФ, Дыёды - Мастовыя выпрамнікі, Тырыстары - SCR - Модулі, Транзістары - IGBT - адзінкавыя, Транзістары - FET, MOSFET - адзінкавыя, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, загадзя п, Транзістары - біпалярныя (BJT) - аднамесныя, з пап and Транзістары - спецыяльнага прызначэння ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах IXYS DSEI30-06A. DSEI30-06A можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DSEI30-06A Атрыбуты прадукту

Частка нумар : DSEI30-06A
Вытворца : IXYS
Апісанне : DIODE GEN PURP 600V 37A TO247AD
Серыя : -
Статус часткі : Active
Дыёдны тып : Standard
Напружанне - рэверс пастаяннага току (Vr) (макс.) : 600V
Ток - Сярэдняя выпраўленасць (Io) : 37A
Напруга - наперад (Vf) (макс.) @ Калі : 1.6V @ 37A
Хуткасць : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Рэверсны час аднаўлення (TRR) : 50ns
Ток - Зваротная ўцечка @ Vr : 100µA @ 600V
Ёмістасць @ Vr, F : -
Тып мантажу : Through Hole
Пакет / футляр : TO-247-2
Пакет прылад пастаўшчыка : TO-247AD
Працоўная тэмпература - развязка : -40°C ~ 150°C

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • C2D05120E

    Cree/Wolfspeed

    DIODE SCHOTTKY 1.2KV 17.5A TO252.

  • VS-20ETF04FPPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 20A TO220FP.

  • IDB23E60ATMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 600V 41A TO263-3.

  • IDB12E120ATMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 1.2KV 28A TO263-3.

  • VS-80EPS08PBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 800V 80A TO247AC.

  • VS-80EPF12PBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1.2KV 80A TO247AC.