Microsemi Corporation - UES706

KEY Part #: K6444744

Катэгорыі сям'і:: KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - біпалярныя (BJT) - РФ, Тырыстары - TRIAC, Транзістары - IGBT - адзінкавыя, Транзістары - JFET, Тырыстары - SCR, Транзістары - IGBT - Модулі, Транзістары - БНТ, MOSFET - Масівы and Дыёды - Зэнер - Адзінокі ...

Канкурэнтная перавага:: Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Microsemi Corporation UES706. UES706 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com

Частка нумар : UES706

Вытворца : Microsemi Corporation

Апісанне : DIODE GEN PURP 400V 20A DO4

Серыя : -

Статус часткі : Active

Дыёдны тып : Standard

Напружанне - рэверс пастаяннага току (Vr) (макс.) : 400V

Ток - Сярэдняя выпраўленасць (Io) : 20A (DC)

Напруга - наперад (Vf) (макс.) @ Калі : 1.25V @ 20A

Хуткасць : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Рэверсны час аднаўлення (TRR) : 50ns

Ток - Зваротная ўцечка @ Vr : 50µA @ 400V

Ёмістасць @ Vr, F : -

Тып мантажу : Chassis, Stud Mount

Пакет / футляр : DO-203AA, DO-4, Stud

Пакет прылад пастаўшчыка : DO-4

Працоўная тэмпература - развязка : -55°C ~ 150°C

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў

BYM13-30-E3/96

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE SCHOTTKY 30V 1A DO213AB. Schottky Diodes & Rectifiers 1.0 Amp 30 Volt 30 Amp IFSM
US1GHE3/5AT

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC.
SS16HE3/5AT

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE SCHOTTKY 60V 1A DO214AC.
ES2A-E3/52T

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 50V 2A DO214AA. Rectifiers 2.0 Amp 50 Volt
SS210-E3/52T

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE SCHOTTKY 100V 1.5A DO214AA. Schottky Diodes & Rectifiers 100 Volt 1.5 Amp 75 Amp IFSM
GI818-E3/54

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 1KV 1A DO204AC.