6A10GHA0G Цэнаўтварэнне (USD) [635119шт шт]
- 1 pcs$0.05824
- Частка нумар:
- 6A10GHA0G
- Вытворца:
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Падрабязнае апісанне:
- DIODE GEN PURP 100V 6A R-6.
- Manufacturer's standard lead time:
- У наяўнасці
- Тэрмін прыдатнасці:
- Адзін год
- Фішка ад:
- Ганконг
- RoHS:
- Спосаб аплаты:
-
- Адгрузка спосабам:
- Катэгорыі сям'і:
- KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Дыёды - пераменная ёмістасць (Varicaps, Varactors), Транзістары - FET, MOSFET - адзінкавыя, Дыёды - РФ, Тырыстары - DIAC, SIDAC, Транзістары - праграмуемыя супярэчнікі, Транзістары - IGBT - Модулі, Транзістары - БНТ, MOSFET - Масівы and Транзістары - IGBT - масівы ...
- Канкурэнтная перавага:
- Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Taiwan Semiconductor Corporation 6A10GHA0G. 6A10GHA0G можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
6A10GHA0G Атрыбуты прадукту
Частка нумар :
6A10GHA0G
Вытворца :
Taiwan Semiconductor Corporation
Апісанне :
DIODE GEN PURP 100V 6A R-6
Серыя :
Automotive, AEC-Q101
Статус часткі :
Active
Дыёдны тып :
Standard
Напружанне - рэверс пастаяннага току (Vr) (макс.) :
100V
Ток - Сярэдняя выпраўленасць (Io) :
6A
Напруга - наперад (Vf) (макс.) @ Калі :
1.1V @ 6A
Хуткасць :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Рэверсны час аднаўлення (TRR) :
-
Ток - Зваротная ўцечка @ Vr :
10µA @ 100V
Ёмістасць @ Vr, F :
60pF @ 4V, 1MHz
Тып мантажу :
Through Hole
Пакет / футляр :
R6, Axial
Пакет прылад пастаўшчыка :
R-6
Працоўная тэмпература - развязка :
-55°C ~ 150°C
Апошнія навіны
Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
-
SS2FN6-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 60V 2A DO219AB. Schottky Diodes & Rectifiers 2A,60V,SMFSkty Rect
-
SB2H90-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 90V 2A DO204AC. Schottky Diodes & Rectifiers 90 Volt 2.0 Amp 75 Amp IFSM
-
AR3PD-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE AVALANCHE 200V 1.8A TO277A. Rectifiers 3A,200V,Fast RecoveryAvalanche SM
-
AR3PJHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE AVALANCHE 600V 1.8A TO277A. Rectifiers 3A,600V, SMPC Fast Rec Avalanche
-
V15PM10HM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 100V 15A TO277A. Schottky Diodes & Rectifiers 100V SMPC (TO-277A) AEC-Q101 Qualified
-
V10PM12-M3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 120V 3.9A TO277A. Schottky Diodes & Rectifiers 10A,120V,TRENCH SKY RECT.
Гарачыя часткі
- MBR1645-10HE3/45
- D251K12BXPSA1
- JTXM19500/469-05
- UF1503S-B
- SB05-05C-M-TB-E
- LS412060
- FR204TA
- JANTX1N6661US
- RGP10K-M3/73
- GP10G-4004E-M3/73
- RU 3AM
- RF 1A
- SD24145
- JANTXV1N5802
- MBRB1050HE3/45
- HER604-TP
- SS1H10HE3/61T
- S5MHE3/57T
- ESH2PD-E3/84A
- SS8PH9HM3/87A
- SS2P3-E3/85A
- SS1H10HE3/5AT
- SS19-E3/5AT
- GP30KHE3/54
- GP20B-E3/54
- EGP20DHE3/73
- STPS1545R
- STTH3002G
- LSM345JE3
- ES2A-TP
- VS-HFA16TB120PBF
- VS-1N5819
- 241NQ045R
- 1N6630
- RL103-AP
- ER303-AP
- RO 2CV1
- RU 3AV1
- S10MC M6G
- ES3A M6G