[22010шт шт]
- Частка нумар:
- K4G80325FB-HC25
- Вытворца:
- Samsung Semiconductor
- Падрабязнае апісанне:
- 8 Gb 256M x 32 8.0 Gbps 16K / 32 ms 170FBGA Mass Production.
- Manufacturer's standard lead time:
- У наяўнасці
- Тэрмін прыдатнасці:
- Адзін год
- Фішка ад:
- Ганконг
- RoHS:
- Спосаб аплаты:
-
- Адгрузка спосабам:
- Катэгорыі сям'і:
- KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: SLC Nand, HBM Aquabolt, LPDDR3, DDR3, LPDDR4X, LPDDR5, LPDDR4 and HBM Flarebolt ...
- Канкурэнтная перавага:
- Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Samsung Semiconductor K4G80325FB-HC25. K4G80325FB-HC25 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
K4G80325FB-HC25 Атрыбуты прадукту
Частка нумар :
K4G80325FB-HC25
Вытворца :
Samsung Semiconductor
Апісанне :
8 Gb 256M x 32 8.0 Gbps 16K / 32 ms 170FBGA Mass Production
Серыя :
DDR3
шчыльнасць :
8 Gb
Org. :
256M x 32
хуткасць :
8.0 Gbps
абнаўленне :
16K / 32 ms
пакет :
170FBGA
статус прадукту :
Mass Production
Апошнія навіны
Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
-
M378A1K43BB1-CPB
Samsung Semiconductor
DDR4 UDIMM 8 GB 1R x 8 2133 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 8 EOL announced.
-
M378A1K43BB2-CRC
Samsung Semiconductor
DDR4 UDIMM 8 GB 1R x 8 2400 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 8 EOL announced.
-
M378A1K43BB2-CTD
Samsung Semiconductor
DDR4 UDIMM 8 GB 1R x 8 2666 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 8 EOL announced.
-
M378A1K43CB2-CPB
Samsung Semiconductor
DDR4 UDIMM 8 GB 1R x 8 2133 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 8 Mass Production.
-
M378A1K43CB2-CRC
Samsung Semiconductor
DDR4 UDIMM 8 GB 1R x 8 2400 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 8 Mass Production.
-
M378A1K43CB2-CTD
Samsung Semiconductor
DDR4 UDIMM 8 GB 1R x 8 2666 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 8 Mass Production.
Гарачыя часткі