Infineon Technologies - IPP80N06S2L11AKSA2

KEY Part #: K6419119

IPP80N06S2L11AKSA2 Цэнаўтварэнне (USD) [92356шт шт]

  • 1 pcs$0.42337
  • 500 pcs$0.31741

Частка нумар:
IPP80N06S2L11AKSA2
Вытворца:
Infineon Technologies
Падрабязнае апісанне:
MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - JFET, Тырыстары - DIAC, SIDAC, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, Транзістары - IGBT - масівы, Транзістары - БНТ, MOSFET - Масівы, Транзістары - FET, MOSFET - адзінкавыя, Транзістары - IGBT - Модулі and Транзістары - БНТ, МОФФЕТ - РФ ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Infineon Technologies IPP80N06S2L11AKSA2. IPP80N06S2L11AKSA2 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPP80N06S2L11AKSA2 Атрыбуты прадукту

Частка нумар : IPP80N06S2L11AKSA2
Вытворца : Infineon Technologies
Апісанне : MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
Серыя : OptiMOS™
Статус часткі : Active
Тып FET : N-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 55V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 80A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 10.7 mOhm @ 40A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id : 2V @ 93µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 80nC @ 10V
Vgs (макс.) : ±20V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 2075pF @ 25V
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 158W (Tc)
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 175°C (TJ)
Тып мантажу : Through Hole
Пакет прылад пастаўшчыка : PG-TO220-3-1
Пакет / футляр : TO-220-3

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў