Калі ваша месцазнаходжанне няма ў спісе, выберыце адно з наступных:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Калі ваша месцазнаходжанне няма ў спісе, выберыце адно з наступных:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Дадому
  2. Прадукты
  3. Інтэгральныя схемы (ІС)
  4. Памяць
  5. 71V416S10YG8

IDT, Integrated Device Technology Inc - 71V416S10YG8

KEY Part #: K940794

71V416S10YG8 Цэнаўтварэнне (USD) [32089шт шт]

  • 1 pcs$1.43514
  • 500 pcs$1.42800
Частка нумар:
71V416S10YG8
Вытворца:
IDT, Integrated Device Technology Inc
Падрабязнае апісанне:
IC SRAM 4M PARALLEL 44SOJ. SRAM 256Kx16 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS SRAM
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Убудаваны - Мікракантролеры - Спецыфічнае прымянен, PMIC - пераўтваральнікі пераменнага току, аўтаномн, Логіка - Перакладчыкі, Змяняльнікі ўзроўню, Логіка - лічыльнікі, дзельнікі, Гадзіннік / тэрміны - Лініі затрымкі, Убудаваны - FPGA (палявая праграмуемая брама), Памяць - Proms налады для FPGA and Логіка - перамыкачы сігналаў, мультыплексары, дэка ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах IDT, Integrated Device Technology Inc 71V416S10YG8. 71V416S10YG8 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

71V416S10YG8 Атрыбуты прадукту

Частка нумар : 71V416S10YG8
Вытворца : IDT, Integrated Device Technology Inc
Апісанне : IC SRAM 4M PARALLEL 44SOJ
Серыя : -
Статус часткі : Active
Тып памяці : Volatile
Фармат памяці : SRAM
Тэхналогіі : SRAM - Asynchronous
Памер памяці : 4Mb (256K x 16)
Тактовая частата : -
Час цыкла напісання - слова, старонка : 10ns
Час доступу : 10ns
Інтэрфейс памяці : Parallel
Напружанне - падача : 3V ~ 3.6V
Працоўная тэмпература : 0°C ~ 70°C (TA)
Тып мантажу : Surface Mount
Пакет / футляр : 44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
Пакет прылад пастаўшчыка : 44-SOJ
Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • 25AA1024-I/MF

    Microchip Technology

    IC EEPROM 1M SPI 20MHZ 8DFN. EEPROM 128kx8 - 1.8V

  • 25LC1024-I/MF

    Microchip Technology

    IC EEPROM 1M SPI 20MHZ 8DFN. EEPROM 128K x 8 - 2.5-5.5V

  • DS24B33S+

    Maxim Integrated

    IC EEPROM 4K 1WIRE 8SO. EEPROM 1-Wire 4kbit EEPROM

  • AT28BV64B-20SU

    Microchip Technology

    IC EEPROM 64K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 200NS IND TEMP GRN PKG

  • AT28C64B-15SU

    Microchip Technology

    IC EEPROM 64K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 64K 8K x 8 150 ns 4.5V-5.5V

  • AS6C62256A-70PCN

    Alliance Memory, Inc.

    IC SRAM 256K PARALLEL 28DIP. SRAM 256K, 2.7-5.5V, 70ns 32K x 8 Asynch SRAM

Гарачыя часткі