Microchip Technology - TN5335N8-G

KEY Part #: K6402049

TN5335N8-G Цэнаўтварэнне (USD) [141870шт шт]

  • 1 pcs$0.26710
  • 2,000 pcs$0.26578

Частка нумар:
TN5335N8-G
Вытворца:
Microchip Technology
Падрабязнае апісанне:
MOSFET N-CH 350V 0.23A SOT89-3.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - біпалярныя (BJT) - аднамесныя, з пап, Тырыстары - SCR, Дыёды - Мастовыя выпрамнікі, Дыёды - РФ, Транзістары - спецыяльнага прызначэння, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, Дыёды - Зэнер - Адзінокі and Транзістары - JFET ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Microchip Technology TN5335N8-G. TN5335N8-G можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TN5335N8-G Атрыбуты прадукту

Частка нумар : TN5335N8-G
Вытворца : Microchip Technology
Апісанне : MOSFET N-CH 350V 0.23A SOT89-3
Серыя : -
Статус часткі : Active
Тып FET : N-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 350V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 230mA (Tj)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 3V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 15 Ohm @ 200mA, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id : 2V @ 1mA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : -
Vgs (макс.) : ±20V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 110pF @ 25V
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 1.6W (Ta)
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу : Surface Mount
Пакет прылад пастаўшчыка : TO-243AA (SOT-89)
Пакет / футляр : TO-243AA
Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • VN0109N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 90V 0.35A TO92-3.

  • ZVN3310ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 100V 200MA TO92-3.

  • BS107PSTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 200V 0.12A TO92-3.

  • ZVN2106ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 0.45A TO92-3.

  • LND150N3-G-P003

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3.

  • ZVN2110ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 100V 320MA TO92-3.