Калі ваша месцазнаходжанне няма ў спісе, выберыце адно з наступных:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Калі ваша месцазнаходжанне няма ў спісе, выберыце адно з наступных:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Дадому
  2. Прадукты
  3. Інтэгральныя схемы (ІС)
  4. Памяць
  5. MT47H128M4CB-3:B

Micron Technology Inc. - MT47H128M4CB-3:B

KEY Part #: K905942

[11692шт шт]

    Частка нумар:
    MT47H128M4CB-3:B
    Вытворца:
    Micron Technology Inc.
    Падрабязнае апісанне:
    IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA.
    Manufacturer's standard lead time:
    У наяўнасці
    Тэрмін прыдатнасці:
    Адзін год
    Фішка ад:
    Ганконг
    RoHS:
    Спосаб аплаты:
    Адгрузка спосабам:
    Катэгорыі сям'і:
    KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Інтэрфейс - Тэлекам, Гадзіннік / таймінг - IC батарэі, Памяць, Набор дадзеных - аналагавы пярэдні канец (AFE), Гадзіннік / таймінг - Гадзіны рэальнага часу, Збор дадзеных - лічбавыя патэнцыяметры, Набыццё дадзеных - лічбавыя ў аналагавыя пераўтвар and Логіка - перамыкачы сігналаў, мультыплексары, дэка ...
    Канкурэнтная перавага:
    Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Micron Technology Inc. MT47H128M4CB-3:B. MT47H128M4CB-3:B можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    MT47H128M4CB-3:B Атрыбуты прадукту

    Частка нумар : MT47H128M4CB-3:B
    Вытворца : Micron Technology Inc.
    Апісанне : IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA
    Серыя : -
    Статус часткі : Obsolete
    Тып памяці : Volatile
    Фармат памяці : DRAM
    Тэхналогіі : SDRAM - DDR2
    Памер памяці : 512Mb (128M x 4)
    Тактовая частата : 333MHz
    Час цыкла напісання - слова, старонка : 15ns
    Час доступу : 450ps
    Інтэрфейс памяці : Parallel
    Напружанне - падача : 1.7V ~ 1.9V
    Працоўная тэмпература : 0°C ~ 85°C (TC)
    Тып мантажу : Surface Mount
    Пакет / футляр : 60-FBGA
    Пакет прылад пастаўшчыка : 60-FBGA

    Апошнія навіны

    Micron 9200 NVMe™ SSDs
    Micron LPDRAM
    Micron NAND-Based MCP
    Micron SLC NAND Flash Memory
    Micron 9300 NVMe™ SSD
    Micron NAND Flash
    Micron 5210 ION Enterprise SATA QLC SSDs
    Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
    • DS1270W-100IND#

      Maxim Integrated

      IC NVSRAM 16M PARALLEL 36EDIP. NVRAM 3.3V 16M NV SRAM

    • DS1270AB-70IND#

      Maxim Integrated

      IC NVSRAM 16M PARALLEL 36EDIP. NVRAM 16M NV SRAM

    • DS1270AB-70#

      Maxim Integrated

      IC NVSRAM 16M PARALLEL 36EDIP. NVRAM 16M NV SRAM

    • DS1270AB-100#

      Maxim Integrated

      IC NVSRAM 16M PARALLEL 36EDIP. NVRAM 16M NV SRAM

    • CY7C1543KV18-450BZI

      Cypress Semiconductor Corp

      IC SRAM 72M PARALLEL 165FBGA. SRAM 72MB (8Mx9) 1.8v 450MHz QDR II SRAM

    • CY7C2564XV18-450BZC

      Cypress Semiconductor Corp

      IC SRAM 72M PARALLEL 165FBGA. SRAM 72MB (2Mx36) 1.8v 450MHz QDR II SRAM

    Гарачыя часткі