DST1050S-A Цэнаўтварэнне (USD) [226389шт шт]
- 1 pcs$0.16338
- Частка нумар:
- DST1050S-A
- Вытворца:
- Littelfuse Inc.
- Падрабязнае апісанне:
- DIODE SCHOTTKY 50V 10A TO277B. Schottky Diodes & Rectifiers 10A 50V TO-277B
- Manufacturer's standard lead time:
- У наяўнасці
- Тэрмін прыдатнасці:
- Адзін год
- Фішка ад:
- Ганконг
- RoHS:
- Спосаб аплаты:
-
- Адгрузка спосабам:
- Катэгорыі сям'і:
- KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Тырыстары - SCR - Модулі, Тырыстары - DIAC, SIDAC, Транзістары - біпалярныя (BJT) - РФ, Транзістары - IGBT - масівы, Дыёды - Зэнер - Масівы, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, Дыёды - РФ and Дыёды - пераменная ёмістасць (Varicaps, Varactors) ...
- Канкурэнтная перавага:
- Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Littelfuse Inc. DST1050S-A. DST1050S-A можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
DST1050S-A Атрыбуты прадукту
Частка нумар :
DST1050S-A
Вытворца :
Littelfuse Inc.
Апісанне :
DIODE SCHOTTKY 50V 10A TO277B
Серыя :
Automotive, AEC-Q101
Статус часткі :
Active
Дыёдны тып :
Schottky
Напружанне - рэверс пастаяннага току (Vr) (макс.) :
50V
Ток - Сярэдняя выпраўленасць (Io) :
10A
Напруга - наперад (Vf) (макс.) @ Калі :
550mV @ 10A
Хуткасць :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Рэверсны час аднаўлення (TRR) :
-
Ток - Зваротная ўцечка @ Vr :
1.5mA @ 50V
Ёмістасць @ Vr, F :
-
Тып мантажу :
Surface Mount
Пакет / футляр :
TO-277, 3-PowerDFN
Пакет прылад пастаўшчыка :
TO-277B
Працоўная тэмпература - развязка :
-55°C ~ 150°C
Апошнія навіны
Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
-
VS-60APF04-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 400V 60A TO247AC. Schottky Diodes & Rectifiers New Input Diodes - TO-247-e3
-
BAV20 A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
DIODE GEN PURP 150V 200MA DO35. Diodes - General Purpose, Power, Switching DO-35, -V 0.2A Swtch Diode/Array
-
BAV19 A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35. Diodes - General Purpose, Power, Switching DO-35, -V 0.2A Swtch Diode/Array
-
-
-
Гарачыя часткі
- IDD12SG60CXTMA2
- S1MFL RVG
- RGP10J-5025M3/73
- JAN1N1190
- R4260F
- R9G22011ASOO
- MURS120HE3/52T
- IDW12G65C5FKSA1
- SB040-E3/54
- NSRM30CM3T5G
- AR3PJHM3/86A
- VS-60CPF02PBF
- VS-150SQ035
- RGP02-14E-M3/73
- RS1GHE3/5AT
- RGP5020HE3/54
- SB160A-E3/73
- GP15KHE3/73
- 1N4937L-T
- MR7510-BP
- JAN1N6629US
- STTH40P03SFP
- BAS29_D87Z
- D4015L
- VS-12TQ040PBF
- SS16T3
- MBRB745
- RS3G-13
- 20ETS12S
- 1PS59SB20,115
- MBRM120ET1H
- ER1D-TP
- 1N4935-TP
- MUR110-AP
- STPS2H100UF
- RU 2V1
- SK56C M6G
- ESH2CHE3_A/I
- BA159GPE-E3/73
- LL4448-GS08