Toshiba Semiconductor and Storage - TK12P60W,RVQ

KEY Part #: K6404167

[2105шт шт]


    Частка нумар:
    TK12P60W,RVQ
    Вытворца:
    Toshiba Semiconductor and Storage
    Падрабязнае апісанне:
    MOSFET N CH 600V 11.5A DPAK.
    Manufacturer's standard lead time:
    У наяўнасці
    Тэрмін прыдатнасці:
    Адзін год
    Фішка ад:
    Ганконг
    RoHS:
    Спосаб аплаты:
    Адгрузка спосабам:
    Катэгорыі сям'і:
    KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Модулі драйвераў харчавання, Дыёды - РФ, Дыёды - пераменная ёмістасць (Varicaps, Varactors), Дыёды - выпрамнікі - масівы, Транзістары - FET, MOSFET - адзінкавыя, Транзістары - біпалярныя (BJT) - аднамесныя, з пап, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, загадзя п and Транзістары - біпалярныя (BJT) - адзінкавыя ...
    Канкурэнтная перавага:
    Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Toshiba Semiconductor and Storage TK12P60W,RVQ. TK12P60W,RVQ можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    TK12P60W,RVQ Атрыбуты прадукту

    Частка нумар : TK12P60W,RVQ
    Вытворца : Toshiba Semiconductor and Storage
    Апісанне : MOSFET N CH 600V 11.5A DPAK
    Серыя : DTMOSIV
    Статус часткі : Active
    Тып FET : N-Channel
    Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
    Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 600V
    Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 11.5A (Ta)
    Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 340 mOhm @ 5.8A, 10V
    Vgs (й) (Max) @ Id : 3.7V @ 600µA
    Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 25nC @ 10V
    Vgs (макс.) : ±30V
    Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 890pF @ 300V
    Функцыя FET : Super Junction
    Рассейванне магутнасці (макс.) : 100W (Tc)
    Працоўная тэмпература : 150°C (TJ)
    Тып мантажу : Surface Mount
    Пакет прылад пастаўшчыка : DPAK
    Пакет / футляр : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

    Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
    • NP60N055VUK-E1-AY

      Renesas Electronics America

      MOSFET N-CH 55V 60A TO-252.

    • NP60N04VUK-E1-AY

      Renesas Electronics America

      MOSFET N-CH 40V 60A TO-252.

    • AUIRLR024Z

      Infineon Technologies

      MOSFET N CH 55V 16A DPAK.

    • AUIRFR4292

      Infineon Technologies

      MOSFET N CH 250V 9.3A DPAK.

    • IRFR7440PBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N CH 40V 90A DPAK.

    • TK16A60W5,S4VX

      Toshiba Semiconductor and Storage

      MOSFET N CH 600V 15.8A TO-220SIS.