Vishay Semiconductor Diodes Division - SE50PADHM3/I

KEY Part #: K6428364

SE50PADHM3/I Цэнаўтварэнне (USD) [521591шт шт]

  • 1 pcs$0.07091
  • 14,000 pcs$0.06167

Частка нумар:
SE50PADHM3/I
Вытворца:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Падрабязнае апісанне:
DIODE GEN PURP 200V 5A DO221BC. Rectifiers 5A, 200V, ESD PROTECTION, SMPA
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Дыёды - Зэнер - Масівы, Транзістары - біпалярныя (BJT) - РФ, Транзістары - IGBT - адзінкавыя, Транзістары - біпалярныя (BJT) - аднамесныя, з пап, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, загадзя п, Транзістары - JFET, Дыёды - РФ and Транзістары - БНТ, MOSFET - Масівы ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Vishay Semiconductor Diodes Division SE50PADHM3/I. SE50PADHM3/I можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SE50PADHM3/I Атрыбуты прадукту

Частка нумар : SE50PADHM3/I
Вытворца : Vishay Semiconductor Diodes Division
Апісанне : DIODE GEN PURP 200V 5A DO221BC
Серыя : eSMP®
Статус часткі : Active
Дыёдны тып : Standard
Напружанне - рэверс пастаяннага току (Vr) (макс.) : 200V
Ток - Сярэдняя выпраўленасць (Io) : 5A
Напруга - наперад (Vf) (макс.) @ Калі : 1.16V @ 5A
Хуткасць : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Рэверсны час аднаўлення (TRR) : 2µs
Ток - Зваротная ўцечка @ Vr : 10µA @ 200V
Ёмістасць @ Vr, F : 32pF @ 4V, 1MHz
Тып мантажу : Surface Mount
Пакет / футляр : DO-221BC, SMA Flat Leads Exposed Pad
Пакет прылад пастаўшчыка : DO-221BC (SMPA)
Працоўная тэмпература - развязка : -55°C ~ 175°C

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • VS-3EJH02HM3/6A

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 3A DO221AC. Rectifiers Hyperfst 3A 200V Fred Pt Rfr AEC-Q101

  • VS-3EJH01HM3/6A

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 3A DO221AC. Rectifiers Hyperfst 3A 100V Fred Pt Rfr AEC-Q101

  • S1AFG-M3/6B

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 1A DO221AC. Rectifiers 1A, 400V, SLIM SMA, STD GPP, SM RECT

  • S1AFK-M3/6B

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 800V 1A DO221AC. Rectifiers 1A, 800V, SLIM SMA, STD GPP, SM RECT

  • VS-2EJH02HM3/6B

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 2A DO221AC. Rectifiers Hyperfst 2A 200V Fred Pt Rfr AEC-Q101

  • VS-3EJH01HM3/6B

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 3A DO221AC. Rectifiers Hyperfst 3A 100V Fred Pt Rfr AEC-Q101