GeneSiC Semiconductor - FR85D05

KEY Part #: K6425035

Падрабязнае апісанне:: DIODE GEN PURP 200V 85A DO5. Rectifiers 200V 85A Fast Recovery

Катэгорыі сям'і:: KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - біпалярныя (BJT) - адзінкавыя, Транзістары - БНТ, МОФФЕТ - РФ, Транзістары - БНТ, MOSFET - Масівы, Тырыстары - SCR - Модулі, Тырыстары - SCR, Дыёды - Мастовыя выпрамнікі, Транзістары - біпалярныя (BJT) - РФ and Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы ...

Канкурэнтная перавага:: Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах GeneSiC Semiconductor FR85D05. FR85D05 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com

Частка нумар : FR85D05

Вытворца : GeneSiC Semiconductor

Апісанне : DIODE GEN PURP 200V 85A DO5

Серыя : -

Статус часткі : Active

Дыёдны тып : Standard

Напружанне - рэверс пастаяннага току (Vr) (макс.) : 200V

Ток - Сярэдняя выпраўленасць (Io) : 85A

Напруга - наперад (Vf) (макс.) @ Калі : 1.4V @ 85A

Хуткасць : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Рэверсны час аднаўлення (TRR) : 500ns

Ток - Зваротная ўцечка @ Vr : 25µA @ 100V

Ёмістасць @ Vr, F : -

Тып мантажу : Chassis, Stud Mount

Пакет / футляр : DO-203AB, DO-5, Stud

Пакет прылад пастаўшчыка : DO-5

Працоўная тэмпература - развязка : -40°C ~ 125°C

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў

FGD5T120SH

ON Semiconductor

IGBT 1200V 5A FS3 DPAK.
FGD3N60UNDF

ON Semiconductor

IGBT 600V 6A 60W DPAK.
BAS40E6433HTMA1

Infineon Technologies

DIODE SCHOTTKY 40V 120MA SOT23-3.
IGB01N120H2ATMA1

Infineon Technologies

IGBT 1200V 3.2A 28W TO263-3-2.
LXA06B600

Power Integrations

DIODE GEN PURP 600V 6A TO263AB. Rectifiers X-Series 600V 6A Low Qrr
QH05BZ600

Power Integrations

DIODE GEN PURP 600V 5A TO263AB. Diodes - General Purpose, Power, Switching Super-Low Qrr. 600V, 5A, Rectifier

Гарачыя часткі