Vishay Semiconductor Diodes Division - BYG22D-E3/TR

KEY Part #: K6439786

BYG22D-E3/TR Цэнаўтварэнне (USD) [463710шт шт]

  • 1 pcs$0.07976
  • 1,800 pcs$0.07377
  • 3,600 pcs$0.06727
  • 5,400 pcs$0.06292
  • 12,600 pcs$0.05859

Частка нумар:
BYG22D-E3/TR
Вытворца:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Падрабязнае апісанне:
DIODE AVALANCHE 200V 2A DO214AC. Rectifiers 2.0 Amp 200 Volt 14
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - біпалярныя (BJT) - аднамесныя, з пап, Модулі драйвераў харчавання, Тырыстары - TRIAC, Транзістары - IGBT - адзінкавыя, Транзістары - біпалярныя (BJT) - РФ, Дыёды - РФ, Транзістары - БНТ, MOSFET - Масівы and Транзістары - IGBT - масівы ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Vishay Semiconductor Diodes Division BYG22D-E3/TR. BYG22D-E3/TR можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BYG22D-E3/TR Атрыбуты прадукту

Частка нумар : BYG22D-E3/TR
Вытворца : Vishay Semiconductor Diodes Division
Апісанне : DIODE AVALANCHE 200V 2A DO214AC
Серыя : -
Статус часткі : Active
Дыёдны тып : Avalanche
Напружанне - рэверс пастаяннага току (Vr) (макс.) : 200V
Ток - Сярэдняя выпраўленасць (Io) : 2A
Напруга - наперад (Vf) (макс.) @ Калі : 1.1V @ 2A
Хуткасць : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Рэверсны час аднаўлення (TRR) : 25ns
Ток - Зваротная ўцечка @ Vr : 1µA @ 200V
Ёмістасць @ Vr, F : -
Тып мантажу : Surface Mount
Пакет / футляр : DO-214AC, SMA
Пакет прылад пастаўшчыка : DO-214AC (SMA)
Працоўная тэмпература - развязка : -55°C ~ 150°C

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • BAV20W-E3-18

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 150V 250MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching 200V 625mA 1A IFSM

  • 1N4148W-HE3-18

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching 100 Volt 500mA 4ns

  • SD103AW-HE3-18

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 350MA 40V SOD123. Schottky Diodes & Rectifiers 5uA 40Volt 15A IFSM AUTO

  • SD101AW-G3-18

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 400MW 60V SOD123. Schottky Diodes & Rectifiers 30mA 60Volt 2A IFSM

  • SD103BW-G3-08

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 350MA 30V SOD123. Schottky Diodes & Rectifiers 5uA 30Volt 15A IFSM

  • SD101BW-G3-08

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 400MW 50V SOD123. Schottky Diodes & Rectifiers 30mA 50Volt 2A IFSM