Vishay Semiconductor Diodes Division - NSB8ATHE3/45

KEY Part #: K6445660

[2032шт шт]


    Частка нумар:
    NSB8ATHE3/45
    Вытворца:
    Vishay Semiconductor Diodes Division
    Падрабязнае апісанне:
    DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB.
    Manufacturer's standard lead time:
    У наяўнасці
    Тэрмін прыдатнасці:
    Адзін год
    Фішка ад:
    Ганконг
    RoHS:
    Спосаб аплаты:
    Адгрузка спосабам:
    Катэгорыі сям'і:
    KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Дыёды - РФ, Дыёды - Мастовыя выпрамнікі, Транзістары - біпалярныя (BJT) - адзінкавыя, Транзістары - БНТ, MOSFET - Масівы, Дыёды - Зэнер - Адзінокі, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, загадзя п, Тырыстары - DIAC, SIDAC and Дыёды - пераменная ёмістасць (Varicaps, Varactors) ...
    Канкурэнтная перавага:
    Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Vishay Semiconductor Diodes Division NSB8ATHE3/45. NSB8ATHE3/45 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    NSB8ATHE3/45 Атрыбуты прадукту

    Частка нумар : NSB8ATHE3/45
    Вытворца : Vishay Semiconductor Diodes Division
    Апісанне : DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB
    Серыя : -
    Статус часткі : Discontinued at Digi-Key
    Дыёдны тып : Standard
    Напружанне - рэверс пастаяннага току (Vr) (макс.) : 50V
    Ток - Сярэдняя выпраўленасць (Io) : 8A
    Напруга - наперад (Vf) (макс.) @ Калі : 1.1V @ 8A
    Хуткасць : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
    Рэверсны час аднаўлення (TRR) : -
    Ток - Зваротная ўцечка @ Vr : 10µA @ 50V
    Ёмістасць @ Vr, F : 55pF @ 4V, 1MHz
    Тып мантажу : Surface Mount
    Пакет / футляр : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    Пакет прылад пастаўшчыка : TO-263AB
    Працоўная тэмпература - развязка : -55°C ~ 150°C

    Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
    • PMEG2010AEK,115

      NXP USA Inc.

      DIODE SCHOTTKY 20V 1A SMT3.

    • SBL1030HE3/45

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE SCHOTTKY 30V 10A TO220AB.

    • UGB5JT-E3/45

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 600V 5A TO263AB.

    • UGB5JTHE3/45

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 600V 5A TO263AB.

    • UGB12JTHE3/45

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 600V 12A TO263AB.

    • UGB5HTHE3/45

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 500V 5A TO263AB.