GeneSiC Semiconductor - 1N8035-GA

KEY Part #: K6444970

Катэгорыі сям'і:: KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Дыёды - выпрамнікі - адзіночныя, Дыёды - Зэнер - Адзінокі, Транзістары - біпалярныя (BJT) - аднамесныя, з пап, Транзістары - біпалярныя (BJT) - адзінкавыя, Тырыстары - DIAC, SIDAC, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, Дыёды - Мастовыя выпрамнікі and Транзістары - БНТ, MOSFET - Масівы ...

Канкурэнтная перавага:: Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах GeneSiC Semiconductor 1N8035-GA. 1N8035-GA можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com

Частка нумар : 1N8035-GA

Вытворца : GeneSiC Semiconductor

Апісанне : DIODE SCHOTTKY 650V 14.6A TO276

Серыя : -

Статус часткі : Obsolete

Дыёдны тып : Silicon Carbide Schottky

Напружанне - рэверс пастаяннага току (Vr) (макс.) : 650V

Ток - Сярэдняя выпраўленасць (Io) : 14.6A (DC)

Напруга - наперад (Vf) (макс.) @ Калі : 1.5V @ 15A

Хуткасць : No Recovery Time > 500mA (Io)

Рэверсны час аднаўлення (TRR) : 0ns

Ток - Зваротная ўцечка @ Vr : 5µA @ 650V

Ёмістасць @ Vr, F : 1107pF @ 1V, 1MHz

Тып мантажу : Surface Mount

Пакет / футляр : TO-276AA

Пакет прылад пастаўшчыка : TO-276

Працоўная тэмпература - развязка : -55°C ~ 250°C

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў

RD0506T-TL-H

ON Semiconductor

DIODE GEN PURP 600V 5A TPFA.
RD0106T-TL-H

ON Semiconductor

DIODE GEN PURP 600V 1A TPFA.
RD0504T-TL-H

ON Semiconductor

DIODE GEN PURP 400V 5A TPFA.
VS-50WQ06FNPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE SCHOTTKY 60V 5.5A DPAK.
SRP600K-E3/54

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 800V 6A P600.
SRP600B-E3/54

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 100V 6A P600.

Гарачыя часткі