GeneSiC Semiconductor - MURTA40020R

KEY Part #: K6468481

Падрабязнае апісанне:: DIODE GEN PURP 200V 200A 3 TOWER. Rectifiers 200V 400A Si Super Fast Recovery

Катэгорыі сям'і:: KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - IGBT - масівы, Транзістары - FET, MOSFET - адзінкавыя, Транзістары - спецыяльнага прызначэння, Дыёды - Мастовыя выпрамнікі, Транзістары - біпалярныя (BJT) - РФ, Тырыстары - TRIAC, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы and Транзістары - БНТ, MOSFET - Масівы ...

Канкурэнтная перавага:: Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах GeneSiC Semiconductor MURTA40020R. MURTA40020R можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com

Частка нумар : MURTA40020R

Вытворца : GeneSiC Semiconductor

Апісанне : DIODE GEN PURP 200V 200A 3 TOWER

Серыя : -

Статус часткі : Active

Канфігурацыя дыёда : 1 Pair Common Anode

Дыёдны тып : Standard

Напружанне - рэверс пастаяннага току (Vr) (макс.) : 200V

Ток - Сярэдняя выпраўленасць (Io) (на дыёд) : 200A

Напруга - наперад (Vf) (макс.) @ Калі : 1.3V @ 200A

Хуткасць : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Рэверсны час аднаўлення (TRR) : -

Ток - Зваротная ўцечка @ Vr : 25µA @ 200V

Працоўная тэмпература - развязка : -55°C ~ 150°C

Тып мантажу : Chassis Mount

Пакет / футляр : Three Tower

Пакет прылад пастаўшчыка : Three Tower

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў

2N5246

ON Semiconductor

JFET N-CH 30V 7MA TO92.
2N5953

ON Semiconductor

JFET N-CH 30V 5MA TO92.
BF245C_D26Z

ON Semiconductor

JFET N-CH 30V 25MA TO92.
LQA10N150C

Power Integrations

DIODE CC 150V 5A DUAL TO252. Rectifiers 150V, Dual, 5A Ultra-Low Qrr Rect
ATF-34143-TR1

Broadcom Limited

FET RF 5.5V 2GHZ SOT-343.
BF1212WR,115

NXP USA Inc.

MOSFET N-CH DUAL GATE 6V SOT343R.