IXYS - IXTH20N60

KEY Part #: K6413343

IXTH20N60 Цэнаўтварэнне (USD) [9197шт шт]

  • 1 pcs$5.17902
  • 30 pcs$5.15325

Частка нумар:
IXTH20N60
Вытворца:
IXYS
Падрабязнае апісанне:
MOSFET N-CH 600V 20A TO-247AD.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, загадзя п, Тырыстары - DIAC, SIDAC, Транзістары - БНТ, MOSFET - Масівы, Модулі драйвераў харчавання, Транзістары - FET, MOSFET - адзінкавыя, Транзістары - біпалярныя (BJT) - аднамесныя, з пап, Транзістары - біпалярныя (BJT) - адзінкавыя and Дыёды - Зэнер - Адзінокі ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах IXYS IXTH20N60. IXTH20N60 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTH20N60 Атрыбуты прадукту

Частка нумар : IXTH20N60
Вытворца : IXYS
Апісанне : MOSFET N-CH 600V 20A TO-247AD
Серыя : MegaMOS™
Статус часткі : Active
Тып FET : N-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 600V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 20A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 350 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id : 4.5V @ 250µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 170nC @ 10V
Vgs (макс.) : ±20V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 4500pF @ 25V
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 300W (Tc)
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу : Through Hole
Пакет прылад пастаўшчыка : TO-247 (IXTH)
Пакет / футляр : TO-247-3

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • IRF5802TR

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-TSOP.

  • 2N7000RLRMG

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92.

  • BTS282Z E3180A

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 49V 80A TO-220-7.

  • FQD4P25TF

    ON Semiconductor

    MOSFET P-CH 250V 3.1A DPAK.

  • FQD4N25TF

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 250V 3A DPAK.

  • IRLR8113TR

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 30V 94A DPAK.