Частка нумар :
IPA60R750E6XKSA1
Вытворца :
Infineon Technologies
Апісанне :
MOSFET N-CH 600V 5.7A TO220
Тэхналогіі :
MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) :
600V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C :
5.7A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
750 mOhm @ 2A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id :
3.5V @ 170µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs :
17.2nC @ 10V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds :
373pF @ 100V
Рассейванне магутнасці (макс.) :
27W (Tc)
Працоўная тэмпература :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу :
Through Hole
Пакет прылад пастаўшчыка :
PG-TO220-FP
Пакет / футляр :
TO-220-3 Full Pack