Vishay Siliconix - SI4200DY-T1-GE3

KEY Part #: K6522954

SI4200DY-T1-GE3 Цэнаўтварэнне (USD) [367832шт шт]

  • 1 pcs$0.10056
  • 2,500 pcs$0.09462

Частка нумар:
SI4200DY-T1-GE3
Вытворца:
Vishay Siliconix
Падрабязнае апісанне:
MOSFET 2N-CH 25V 8A 8SOIC.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, Дыёды - РФ, Тырыстары - DIAC, SIDAC, Транзістары - БНТ, MOSFET - Масівы, Транзістары - біпалярныя (BJT) - аднамесныя, з пап, Транзістары - IGBT - Модулі, Транзістары - спецыяльнага прызначэння and Дыёды - выпрамнікі - масівы ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Vishay Siliconix SI4200DY-T1-GE3. SI4200DY-T1-GE3 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI4200DY-T1-GE3 Атрыбуты прадукту

Частка нумар : SI4200DY-T1-GE3
Вытворца : Vishay Siliconix
Апісанне : MOSFET 2N-CH 25V 8A 8SOIC
Серыя : TrenchFET®
Статус часткі : Obsolete
Тып FET : 2 N-Channel (Dual)
Функцыя FET : Logic Level Gate
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 25V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 25 mOhm @ 7.3A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id : 2.2V @ 250µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 12nC @ 10V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 415pF @ 13V
Магутнасць - Макс : 2.8W
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу : Surface Mount
Пакет / футляр : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Пакет прылад пастаўшчыка : 8-SO

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • IRF5810TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6-TSOP.

  • FDY2000PZ

    ON Semiconductor

    MOSFET 2P-CH 20V 0.35A SOT-563F.

  • DMN2040LTS-13

    Diodes Incorporated

    MOSFET 2N-CH 20V 6.7A 8TSSOP.

  • DMN2019UTS-13

    Diodes Incorporated

    MOSFET 2N-CH 20V 5.4A TSSOP-8.

  • DMG8822UTS-13

    Diodes Incorporated

    MOSFET 2N-CH 20V 4.9A 8TSSOP.

  • AO8801AL

    Alpha & Omega Semiconductor Inc.

    MOSFET 2P-CH 20V 4.5A 8TSSOP.